公开(公告)号：CN113913774B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202110761104.4

申请日：2021-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。

公开(公告)号：CN108807663A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810379752.1

申请日：2018-04-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山根健量 ,  占部顺一郎 ,  铃木健司 ,  志村淳

IPC: H01L43/08

CPC classification number: H01F10/329 ,  G11C11/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01P1/218 ,  H03H2/00 ,  H03H11/04 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种作为高频滤波器等高频器件起作用的磁阻效应器件。该磁阻效应器件具备：第一端口；第二端口；磁阻效应元件；第一信号线路，其与上述第一端口连接，并对上述磁阻效应元件施加高频磁场；第二信号线路，其将上述第二端口和上述磁阻效应元件相连；以及直流施加端子，其能够连接在上述磁阻效应元件的层叠方向上施加直流电流或直流电压的电源，上述第一信号线路在上述磁阻效应元件的层叠方向或与层叠方向正交的面内方向的位置具有沿第一方向延伸的磁场发生部，在从配置有上述磁场发生部的上述层叠方向或上述面内方向观察时，上述磁场发生部和上述磁阻效应元件具有重叠的部分。

公开(公告)号：CN118241176A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410365960.1

申请日：2021-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C16/54 ,  G06F30/27 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。

公开(公告)号：CN113913774A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110761104.4

申请日：2021-07-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/34 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。

公开(公告)号：CN108140726B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201680057201.2

申请日：2016-06-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 占部顺一郎 ,  柴田哲也 ,  志村淳 ,  山根健量 ,  铃木健司

IPC: H01L43/08 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明提供一种能够利用磁电阻效应元件来实现高频滤波器的磁电阻效应器件。磁电阻效应器件的特征在于，包括：磁电阻效应元件、第一接口、第二接口、信号线路、直流电流输入端子、以及电容器，所述磁电阻效应元件包括磁化固定层、间隔层及磁化自由层，该磁化自由层的磁化方向是可变的，第一接口及第二接口通过信号线路连接，磁电阻效应元件以相对第二接口并联的方式连接于信号线路及地线，直流电流输入端子连接于信号线路，形成有包括磁电阻效应元件、信号线路、地线及直流电流输入端子的闭合电路，电容器在闭合电路与第一接口之间和闭合电路与第二接口之间中的至少一方通过信号线路与第一接口及第二接口串联连接。

公开(公告)号：CN119631095A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202280098331.6

申请日：2022-05-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  浅井海图

IPC: G06N99/00 ,  G06N10/80

Abstract: 本发明的计算模型是能够应用于伊辛模型或QUBO的计算模型，将组合优化问题中的多个选项分配给一个以上的2值的变量可取的值中的任意一个，基于对所述组合优化问题提供的约束来固定所述2值的变量中的任一个。

公开(公告)号：CN117882094A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202180101891.8

申请日：2021-07-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  浅井海图

IPC: G06N99/00 ,  G06N10/00

Abstract: 该计算模型是可应用于伊辛模型或QUBO的计算模型，具有多个伊辛位和第一辅助位，所述多个伊辛位以及所述第一辅助位分别为二值变量，所述多个伊辛位用所述变量的组合来表示组合优化问题中的各个选项，所述第一辅助位表示对表示所述选项的多个值中的2个以上的值进行逻辑运算后的值。

公开(公告)号：CN117836787A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202180101720.5

申请日：2021-08-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 浅井海图 ,  铃木健司

IPC: G06N99/00

Abstract: 一种计算模型，该计算模型是可应用于伊辛模型或QUBO的计算模型，具有多个表示位和第一剩余位，所述多个表示位分别为二值变量，所述多个表示位表示组合优化问题中的各个选项，所述第一剩余位与所述多个表示位的任一个结合。

公开(公告)号：CN109075210A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028536.6

申请日：2017-09-14

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健司

IPC: H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁阻效应装置(1000)，其具备：具有第1铁磁性层(102)、第2铁磁性层(104)和第1间隔层(103)的第1磁阻效应元件(101)、金属层(111)、第1电极(107)、输入端子(108)、输出端子(109)和基准电位端子(110)，所述第1铁磁性层、所述第1间隔层、所述第2铁磁性层和所述第1电极以该顺序被配置，所述第2铁磁性层与所述第1电极电接触，所述第1电极被连接于输出高频信号的输出端子，所述金属层以从所述输入端子流到所述金属层的高频信号流到所述基准电位端子的方式被连接于所述输入端子和所述基准电位端子，所述第1铁磁性层与所述基准电位端子电接触，具备用于将直流电流或直流电压施加于所述第1磁阻效应元件的施加端子(106)。

公开(公告)号：CN107689363A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710650266.4

申请日：2017-08-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田哲也 ,  铃木健司 ,  占部顺一郎 ,  山根健量 ,  志村淳

IPC: H01L25/04 ,  H01L43/08 ,  H03H9/46

Abstract: 本发明公开了一种能够实现利用磁电阻效应元件的高频滤波器等高频器件的磁电阻效应器件。磁电阻效应器件(101)包括第一磁电阻效应元件(1a)、第二磁电阻效应元件(1b)、第一接口(9a)、第二接口(9b)、信号线路(7)及直流电流输入端子(11)，其中，通过信号线路(7)按顺序串联连接第一接口(9a)、第一磁电阻效应元件(1a)及第二接口(9b)，第二磁电阻效应元件(1b)以相对第二接口(9b)并联的方式连接于信号线路(7)，第一磁电阻效应元件(1a)及第二磁电阻效应元件(1b)形成为在第一磁电阻效应元件(1a)及第二磁电阻效应元件(1b)的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的磁化固定层(2)、间隔层(3)及磁化自由层(4)的配置顺序在第一磁电阻效应元件(1a)中和在第二磁电阻效应元件(1b)中相反。