磁场检测装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114325512A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210048813.2

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明的磁场检测装置具备:基体;第一轭,设置在基体上,包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面;以及磁阻效应元件,设置在基体上,包括磁化自由层,该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置,第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸,并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面,磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离,比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小,磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。

    磁场检测装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108663638B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN201810223955.1

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明的磁场检测装置具备:基体;第一轭,设置在基体上,包括沿着第一面扩展的第一主面、沿着该第一面扩展的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面;以及磁阻效应元件,设置在基体上,包括磁化自由层,该磁化自由层配置于在沿着第一面的第一方向上与第一轭重叠的位置。第一端面以在与第一面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸,并且包括对第一面倾斜的倒锥形面。磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离,比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小。

    磁场检测装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114325512B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202210048813.2

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明的磁场检测装置具备:基体;第一轭,设置在基体上,包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面;以及磁阻效应元件,设置在基体上,包括磁化自由层,该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置,第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸,并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面,磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离,比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小,磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。

    磁场检测装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108663638A

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201810223955.1

    申请日:2018-03-19

    CPC classification number: G01R33/091 G01R33/098 H01L43/08

    Abstract: 本发明的磁场检测装置具备:基体;第一轭,设置在基体上,包括沿着第一面扩展的第一主面、沿着该第一面扩展的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面;以及磁阻效应元件,设置在基体上,包括磁化自由层,该磁化自由层配置于在沿着第一面的第一方向上与第一轭重叠的位置。第一端面以在与第一面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸,并且包括对第一面倾斜的倒锥形面。磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离,比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小。

    磁传感器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108574039B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201711463839.9

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种磁传感器,其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠,元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1),并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。

    磁传感器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108574039A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201711463839.9

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 本发明提供了一种磁传感器,其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠,元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1),并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。

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