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公开(公告)号:CN117848200A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311275692.6
申请日:2023-09-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种维持比较高的k‑因子且TCR的控制容易的应变电阻膜和具有该电阻膜的物理量传感器。所述应变电阻膜是具有由式Cr100‑x‑y‑zAlxNyOz表示的组成的应变电阻膜。满足5≤x≤50、0.1≤y≤20、0.1≤z≤17、及y+z≤25的关系。
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公开(公告)号:CN117629497A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311097649.5
申请日:2023-08-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以适当地防止水分等经由电极和保护膜之间的界面侵入的问题的传感器构件。传感器构件具有:被保护部,其设置于金属基材的一个面,具有检测部;保护膜,其具有:第1保护膜部分,其具有第1厚度;以及第2保护膜部分,其具有比所述第1厚度更厚的第2厚度,形成于通向所述被保护部的开口的开口周缘,所述保护膜从上方覆盖所述被保护部的至少一部分;以及电极部,其具有:第1电极部分,其配置于所述开口,与所述被保护部连接;以及第2电极部分,其在所述第1电极部分的外周缘与所述第1电极部分连接,形成于所述第2保护膜部分之上。
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