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公开(公告)号:CN117153559A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202310527255.2
申请日:2023-05-11
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的电介质组合物包含:含有由组成式〔(CaxSr(1‑x))O〕〔m(TiyHfzZr(1‑y‑z))O2〕表示的主成分(1.020<m)的电介质颗粒;位于电介质颗粒之间的晶界相;和至少含有Ca、Si和O(氧)的偏析相。将偏析相中还含有Mn的偏析相作为第一偏析相,将偏析相中实质上不含Mn的偏析相作为第二偏析相。另外,将电介质组合物的规定的截面积所含的第一偏析相的个数设为N1,将电介质组合物的规定的截面积所含的第二偏析相的个数设为N2,电介质组合物满足0.23<(N1/(N1+N2))≤1.00。
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公开(公告)号:CN115403369A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202210549685.X
申请日:2022-05-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/89
Abstract: 一种电介质组合物,其具有:电介质颗粒,其包含以ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分;第一偏析,其至少含有Ba、P及O。而且,第一偏析中的Ba相对于Ti的摩尔比(Ba/Ti)为1.20以上。
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公开(公告)号:CN102219478B
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201110065883.0
申请日:2011-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/01 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/491
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物,其特征在于,作为主成分,含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物,相对于100摩尔的化合物,作为副成分,含有用各元素换算,0.6~2.0摩尔的Mg的氧化物、0.010~0.6摩尔的Mn和/或Cr的氧化物、0.010~0.2摩尔的从V、Mo以及W中选出的一种以上元素的氧化物、0.10~1.0摩尔的R1的氧化物(R1是从Y、Yb、Er以及Ho选出的一种以上)、0.10~1.0摩尔的R2的氧化物(R2是从Dy、Gd、以及Tb中选出的一种以上)、以及0.2~1.5摩尔的,包括Ba的氧化物和/或Ca的氧化物以及Si的氧化物的成分。如果采用本发明,则能够提供即使是使电介质层薄型化的情况下,也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物。
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公开(公告)号:CN102219478A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110065883.0
申请日:2011-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/491
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物,其特征在于,作为主成分,含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物,相对于100摩尔的化合物,作为副成分,含有用各元素换算,0.6~2.0摩尔的Mg的氧化物、0.010~0.6摩尔的Mn和/或Cr的氧化物、0.010~0.2摩尔的从V、Mo以及W中选出的一种以上元素的氧化物、0.10~1.0摩尔的R1的氧化物(R1是从Y、Yb、Er以及Ho选出的一种以上)、0.10~1.0摩尔的R2的氧化物(R2是从Dy、Gd、以及Tb中选出的一种以上)、以及0.2~1.5摩尔的,包括Ba的氧化物和/或Ca的氧化物以及Si的氧化物的成分。如果采用本发明,则能够提供即使是使电介质层薄型化的情况下,也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物。
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公开(公告)号:CN115036131B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202210196101.5
申请日:2022-03-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供镀敷性良好,且具有能够抑制镀敷侵入至元件主体的烧附电极层的陶瓷电子部件。陶瓷电子部件具有:元件主体,其由陶瓷层和内部电极层层叠而成;外部电极,其形成于元件主体的端面,且与内部电极层的至少一端电连接,陶瓷电子部件中,外部电极具有烧附电极层,烧附电极层具有与元件主体的端面相接且位于与元件主体的接合边界附近的第一区域、和位于第一区域的外侧且构成烧附电极层的外表面的第二区域,在第一区域中包含具有规定组成的第一玻璃,在第二区域中包含具有规定组成的第二玻璃。
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公开(公告)号:CN115036133B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202210196107.2
申请日:2022-03-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种元件主体和外部电极接合强度高的陶瓷电子部件。本发明提供一种陶瓷电子部件,其具有:元件主体,其由陶瓷层和内部电极层层叠而成;和外部电极,其与内部电极层的至少一端电连接,该陶瓷电子部件中,元件主体在陶瓷层的端部具有边界层,在陶瓷层中包含由ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分,在边界层包含Ba及Ti作为主成分,在将边界层中所含的Ba及Ti的合计设为1摩尔份时,在边界层中包含0.27~0.40摩尔份的Ba。
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公开(公告)号:CN115036132A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210196106.8
申请日:2022-03-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种元件主体和外部电极的接合可靠性高的陶瓷电子部件。本发明的陶瓷电子部件具有:元件主体,其由陶瓷层和内部电极层层叠而成;和外部电极,其与内部电极层的至少一端电连接,该陶瓷电子部件中,外部电极与陶瓷层的接合边界的至少一部分在外部电极侧具有界面突起部,界面突起部由氧化物构成。
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公开(公告)号:CN115036131A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210196101.5
申请日:2022-03-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供镀敷性良好,且具有能够抑制镀敷侵入至元件主体的烧附电极层的陶瓷电子部件。陶瓷电子部件具有:元件主体,其由陶瓷层和内部电极层层叠而成;外部电极,其形成于元件主体的端面,且与内部电极层的至少一端电连接,陶瓷电子部件中,外部电极具有烧附电极层,烧附电极层具有与元件主体的端面相接且位于与元件主体的接合边界附近的第一区域、和位于第一区域的外侧且构成烧附电极层的外表面的第二区域,在第一区域中包含具有规定组成的第一玻璃,在第二区域中包含具有规定组成的第二玻璃。
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公开(公告)号:CN115403367B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202210544927.6
申请日:2022-05-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 一种电介质组合物,其中,具有:电介质颗粒,其包含以ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分;和第一偏析,其至少含有Ba、V、及O。而且,第一偏析中检测到的Ba相对于Ti的摩尔比(Ba/Ti)为1.20以上。
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公开(公告)号:CN116525301A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202211592976.3
申请日:2022-12-13
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 末田有一郎
Abstract: 本发明提供一种层叠电子部件,其具有电介质层和内部电极层交替层叠而形成的元件主体,电介质层中的MgO相对于SiO2的摩尔比为1~5,电介质层中的MgO相对于MnO的摩尔比为5~13,元件主体包含偏析相,将偏析相中的MgO、NiO、MnO和Cr2O3的合计含量设为100摩尔份时,偏析相中的MgO的含量为63.0~99.5摩尔份,偏析相中的MnO的含量为0.5~12.6摩尔份。
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