电阻元件阵列电路、电阻元件阵列电路单元和红外传感器

    公开(公告)号:CN110873608A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910821807.4

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线,并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子,正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接,负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接,输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。

    磁传感器
    2.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115840172A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211150253.8

    申请日:2022-09-21

    Abstract: 磁传感器具备由多个MR元件构成的多个电阻部、和分别具有用于使多个MR元件检测对象磁场的特定的分量的结构的多个凸面。多个MR元件分割成与多个电阻部对应的第一~第四区域而配置。第一~第四区域各自具有位于第一基准方向上的两端的第一端缘及第二端缘、位于第二基准方向上的两端的第三端缘及第四端缘。多个凸面各自相对于第一端缘或第二端缘所成的角度大于多个凸面各自相对于第三端缘或第四端缘所成的角度。

    磁传感器
    3.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115840165A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211142397.9

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 本发明的磁传感器具有:绝缘层、配置在绝缘层之上的线圈要素、以及第一绝缘膜。绝缘层具有第一倾斜面和第二倾斜面。线圈要素具有第一侧面和第二侧面。第一侧面包含:第一部分、和配置于比第一部分距基板的上表面更远的位置的第二部分。第一部分以与第一及第二倾斜面交叉的方式倾斜,且以随着靠近基板的上表面而靠近第二侧面的方式倾斜。第一绝缘膜覆盖第一部分。

    传感器
    4.
    发明公开
    传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115856730A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211143482.7

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 磁传感器包含绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。绝缘层包含第一层和第二层,并且具有遍及第一层和第二层形成的第一及第二倾斜面。第一及第二MR元件各自包含磁化固定层及自由层。第一MR元件的磁化固定层及自由层配置在第一倾斜面之上。第二MR元件的磁化固定层及自由层配置在第二倾斜面之上。

    电阻元件阵列电路、电阻元件阵列电路单元和红外传感器

    公开(公告)号:CN110873608B

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN201910821807.4

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线,并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子,正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接,负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接,输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。

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