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公开(公告)号：CN1348253A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01140659.3
申请日：2001-09-20
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H9/02543
Abstract: 公开了一种用于中频的紧凑和宽带表面声波器件。也公开了一种用在表面声波器件中具有高机电耦合因数和低SAW速度的压电基片。表面声波器件由一个压电基片1和形成在压电基片1上的叉指状电极2、2构成。压电基片1具有一种Ca3Ga2Ge4O14的晶体结构,并且由化学式Sr3NbGa3Si2O14表示。从单晶切出压电基片1的切割角、和按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示的在压电基片上的表面声波的传播方向,在由－5°≤φ≤15°、0°≤θ≤180°、及－50°≤ψ≤50°表示的一个第一区域和由15°≤φ≤30°、0°≤θ≤180°、及－40°≤ψ≤40°表示的一个第二区域之一中。
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