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公开(公告)号：CN1099121C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN97190981.4
申请日：1997-06-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B1/16
CPC classification number: H01B1/16 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/092 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 目标是提供优质导体糊，它使用银基内部导体，即使在用导体熔体法与陶瓷材料一同烧制时也抑制空隙产生及伴随的断裂发生，而且它改善了生产率，降低了成本，及改进了电特性。导体糊是通过将银基导电材料及金属氧化物分散在载体中制备的。氧化镓，氧化镧，氧化镨，氧化钐，氧化铕，氧化钆，氧化镝，氧化铒，氧化铥，及氧化镱中的至少一个被用作这个金属氧化物，在导电材料的熔点与低于沸点之间的一个温度上烧制导体糊。
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公开(公告)号：CN1239579A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98801384.3
申请日：1998-09-18
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387 , Y10T428/12896 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明的多层陶瓷部件包含共同烧制形成的内导体层和陶瓷层。内层体层由以银为主要成分的导电材料形成，而陶瓷层由钇—铁—石榴石为基的氧化物磁性材料添加银而形成。由此，能以高的合格率制造尺寸更小的多层陶瓷部件。
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公开(公告)号：CN116073100A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111271027.0
申请日：2021-10-29
Applicant: TDK株式会社 , TDK大连电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种无需使用需要嵌件成型的复合零件且部件数量少的不可逆电路元件。不可逆电路元件(1)包括电介质基板(10)、装载于电介质基板(10)的磁转子(M)和对磁转子(M)施加磁场的永磁铁(20)。电介质基板(10)具有形成于上表面(11)且与磁转子(M)连接的连接图案(61～63)、形成于下表面(12)且与连接图案(61～63)连接的端子电极(51～53)和形成于下表面(12)的接地图案(50)。连接图案(61～63)的一部分与接地图案(50)重叠，由此得到匹配电容。这样，由于在电介质基板自身设置有电容器图案，所以无需使用匹配用的片式电容器，能够削减部件个数。
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公开(公告)号：CN111697297B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202010174792.X
申请日：2020-03-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/37
Abstract: 本发明提供一种不可逆电路元件，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。不可逆电路元件(10)具备：磁转子(40)，其配置于接地导体(51、52)之间；永久磁铁(31、32)，其对磁转子(40)施加直流磁场。磁转子(40)包含：铁氧体磁芯(41)，其一表面由接地导体(51)覆盖；铁氧体磁芯(42)，其一表面由接地导体(52)覆盖；中心导体(70B)，其直接固定于铁氧体磁芯(41)的另一表面；中心导体(70A)，其直接固定于铁氧体磁芯(42)的另一表面。这样，因为中心导体(70A、70B)分别直接固定于铁氧体磁芯(42、41)，所以在两者之间不会产生间隙。由此，能够防止由中心导体和铁氧体磁芯之间的间隙引起的电特性的变化。
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公开(公告)号：CN110620284A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910525911.9
申请日：2019-06-18
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种非可逆电路元件及使用其的通信装置，具有能够以中心导体的面方向相对于安装方向为水平的方式安装的结构，其目的在于，防止外部端子横切永久磁铁导致的特性的恶化。非可逆电路元件具备永久磁铁(M)、具有绝缘性的磁性体(31)、被永久磁铁(M)和磁性体(31)夹持的磁转子(40)、外部端子(21～23)。磁转子(40)包含与外部端子(21～23)连接的中心导体(70)、夹入中心导体(70)的铁氧体芯(41、42)。外部端子(21～23)以不覆盖永久磁铁(M)的侧面而覆盖磁性体(31)的侧面的方式设置。根据本发明，能够防止外部端子(21～23)与永久磁铁(M)相接而导致的高频特性的劣化。
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公开(公告)号：CN100508274C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510081443.9
申请日：2005-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种提高不可逆电路元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化强度为S11时，在温度T2下的饱和磁化强度为S12，在温度T3下的饱和磁化强度为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化强度为S21时，在温度T2下的饱和磁化强度为S22，在温度T3下的饱和磁化强度为S23时，具有|(S12-S11)/(T2-T1)|＜|(S22-S21)/(T2-T1)|、|(S13-S12)/(T3-T2)|＞|(S23-S22)/(T3-T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化强度S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化强度为1时的相对值。
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公开(公告)号：CN1198243A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN97190981.4
申请日：1997-06-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B1/16
CPC classification number: H01B1/16 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/092 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 目标是提供优质导体糊,它使用银基内部导体,即使在用导体熔体法与陶瓷材料一同烧制时也抑制空隙产生及伴随的断裂发生,而且它改善了生产率,降低了成本,及改进了电特性。导体糊是通过将银基导电材料及金属氧化物分散在载体中制备的。氧化镓,氧化镧,氧化镨,氧化钐,氧化铕,氧化钆,氧化镝,氧化铒,氧化铥,及氧化镱中的至少一个被用作这个金属氧化物,在导电材料的熔点与低于沸点之间的一个温度上烧制导体糊。
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公开(公告)号：CN118693494A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310275113.1
申请日：2023-03-21
Applicant: TDK株式会社 , TDK大连电子有限公司
Abstract: 本发明的技术问题在于，在附加有LC电路的不可逆电路元件中，能够抑制部件数量并且进行LC电路的电感或电容的微调。不可逆电路元件(1)具备：搭载于基板(10)的磁转子(100)。磁转子(100)包含：接地导体(140)及中心导体(110)、(120)、(130)、和夹持于它们之间的铁氧体芯(102)。基板(10)包含：电容器电极图案(240)、和在电容器电极图案(240)和接地图案(50)之间并联连接的电感器图案(241～243)。磁转子(100)以接地导体(140)隔着电介质片(S)面向电容器电极图案(240)的方式，搭载于基板(10)。
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公开(公告)号：CN118693493A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310275022.8
申请日：2023-03-21
Applicant: TDK株式会社 , TDK大连电子有限公司
Abstract: 本发明的技术问题在于，在不可逆电路元件中减小各端口间的特性偏差。本发明的不可逆电路元件(1)具备磁转子(100)。磁转子(100)包含：铁氧体芯(102)、与端口(P1)连接的中心导体(110)、以及与端口(P2)连接的中心导体(120)。中心导体(110)被分割为线导体(111)、(112)，中心导体(120)层叠于线导体(111)和线导体(112)之间。
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