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公开(公告)号：CN1409434A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02143096.9
申请日：2002-09-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/2056 , H01P7/04
Abstract: 本发明的目的是提供适于小型化以及薄型化、可以表贴实装的介质器件。共振部Q1中，第1孔41被设置在介质基片1，从面21趋向其对面22，在面21上开口，在内部有第1内导体61。第2孔51被设置在介质基片1，在面21相邻的面23上开口，从面23趋向其对面24，在介质基片1的内部与第1孔41连接。第2孔51在内部有第2内导体81，第2内导体81在介质基片1的内部与第1内导体61连接。
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公开(公告)号：CN1237191A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98801202.2
申请日：1998-08-25
IPC: C08L101/00 , C08L23/00 , C08K5/00 , C08L51/06 , C08F255/00
CPC classification number: C08J5/18 , B32B27/00 , C08F255/00 , C08L23/08 , C08L23/0838 , C08L51/06 , C08L53/00 , C08L2203/202 , H01B3/442 , H05K1/032 , Y10T428/254 , Y10T428/31913 , Y10T428/31917 , Y10T428/31924 , C08L2666/04
Abstract: 本发明提供一种耐热性、低介电聚合物材料,该聚合物材料优选是其中非极性α－烯烃类聚合物链段和乙烯基芳族共聚合物链段以化学健方式结合的一种共聚物,而且它是显示出多相结构的热塑性树脂,在该结构中由一个键段形成的分散相精细地分散在由另一个键段形成的连续相中。因此有可能获得具有优异的耐热性、具有高强度和具有低介电常数和降低的介电损耗角tan值的聚合物材料,所以适合用作高频应用的电绝缘材料。
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公开(公告)号：CN115023642A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180011004.8
申请日：2021-01-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/035
Abstract: [技术问题]提供一种光调制元件，能够在50GHz以下的低频下抑制电极损耗，同时在50GHz以上的高频下抑制辐射损耗。[解决手段]光调制元件(1)包括基板(2)和设置在基板(2)上的至少一个相互作用部(MZ)。相互作用部(MZ)包括：形成在基板(2)上的彼此相邻的第一和第二光波导(10a、10b)，和分别与第一和第二光波导(10a、10b)对置地设置的第一和第二信号电极(7a、7b)。在相互作用部(MZ)的附近区域(NZ)没有配置接地电极，在与第一和第二信号电极(7a、7b)电连接的输入部和终端部的至少一者的附近配置有接地电极。
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公开(公告)号：CN100508274C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510081443.9
申请日：2005-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种提高不可逆电路元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化强度为S11时，在温度T2下的饱和磁化强度为S12，在温度T3下的饱和磁化强度为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化强度为S21时，在温度T2下的饱和磁化强度为S22，在温度T3下的饱和磁化强度为S23时，具有|(S12-S11)/(T2-T1)|＜|(S22-S21)/(T2-T1)|、|(S13-S12)/(T3-T2)|＞|(S23-S22)/(T3-T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化强度S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化强度为1时的相对值。
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公开(公告)号：CN100413145C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN02126532.1
申请日：2002-07-22
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P7/04 , H01P1/2056 , H01P1/2136
Abstract: 本发明提供一种适于小型化和降低高度、可直接安装、能够调整共振频率的电介质装置。在各共振部Q1、Q2中，第一孔41、42设置在电介质基体1中，从端面21朝向对向面22，在端面21和对向面22上开口，在内部配有第一内导体。在各共振部Q1、Q2中，第二孔51、52与前述第一孔41、42相隔一定间隔D1地设置在电介质基体1上，从端面21朝向其对向面22，仅在端面21上开口，底部封闭，在内部配有第二内导体。第二内导体在端面21上与第一内导体连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1719658A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510081443.9
申请日：2005-06-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 提供一种提高不可逆元件的温度特性的技术。一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11时，在温度T2下的饱和磁化为S12，在温度T3下的饱和磁化为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21时，在温度T2下的饱和磁化为S22，在温度T3下的饱和磁化为S23时，具有|(S12－S11)/(T2－T1)|＜|(S22－S21)/(T2－T1)|、|(S13－S12)/(T3－T2)|＞|(S23－S22)/(T3－T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值。
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公开(公告)号：CN1190462C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN98801202.2
申请日：1998-08-25
IPC: C08L101/00 , C08L23/00 , C08K5/00 , C08L51/06 , C08F255/00
CPC classification number: C08J5/18 , B32B27/00 , C08F255/00 , C08L23/08 , C08L23/0838 , C08L51/06 , C08L53/00 , C08L2203/202 , H01B3/442 , H05K1/032 , Y10T428/254 , Y10T428/31913 , Y10T428/31917 , Y10T428/31924 , C08L2666/04
Abstract: 本发明提供一种耐热性、低介电聚合物材料，该聚合物材料优选是其中非极性α-烯烃类聚合物链段和乙烯基芳族共聚合物链段以化学键方式结合的一种共聚物，而且它是显示出多相结构的热塑性树脂，在该结构中由一个链段形成的分散相精细地分散在由另一个链段形成的连续相中。因此有可能获得具有优异的耐热性、具有高强度和具有低介电常数和降低的介电损耗角tan值的聚合物材料，所以适合用作高频应用的电绝缘材料。
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公开(公告)号：CN1170366C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02108722.9
申请日：2002-03-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/2056
Abstract: 一种屏蔽罩可以防止电介质滤波器的厚度增加而不增加该电介质滤波器的制造成本。本发明的屏蔽罩(10)要附加到电介质滤波器(20)上，并且具有第一薄片(11)、从第一金属片的第一端在预定方向延伸的第二薄片(12)、从与第一端相对的第一薄片的第二端在预定方向延伸的第三薄片(13)、以及在第一薄片(11)的第一和第二端之间的一个部分从第一薄片(11)凸起的凸起部分(14)。由于的屏蔽罩(10)通过夹住电介质块(20)的两侧而固定到电介质滤波器(20)上，并且该凸起部分(14)可以与电介质滤波器(20)的镀金属(30-2)相接触，从而即使附加该屏蔽罩(10)，也不会增加具有该屏蔽罩的电介质滤波器的总厚度。
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公开(公告)号：CN1379546A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02108722.9
申请日：2002-03-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01P1/2056
Abstract: 一种屏蔽罩可以防止电介质滤波器的厚度增加而不增加该电介质滤波器的制造成本。本发明的屏蔽罩(10)要附加到电介质滤波器(20)上,并且具有第一薄片(11)、从第一金属片的第一端在预定方向延伸的第二薄片(12)、从与第一端相对的第一薄片的第二端在预定方向延伸的第三薄片(13)、以及在第一薄片(11)的第一和第二端之间的一个部分从第一薄片(11)凸起的凸起部分(14)。由于的屏蔽罩(10)通过夹住电介质块(20)的两侧而固定到电介质滤波器(20)上,并且该凸起部分(14)可以与电介质滤波器(20)的镀金属(30－2)相接触,从而即使附加该屏蔽罩(10),也不会增加具有该屏蔽罩的电介质滤波器的总厚度。
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