公开(公告)号：CN1770313A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510102712.5

申请日：2005-09-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 古贺启治 ,  江崎城一朗

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明涉及一种可防止误写入而且可使写入电流变小的磁存储器，磁存储器1所具有的多个存储区域3各个具有：含有磁化方向A因外部磁场而发生变化的第一磁性层41的TMR元件4；通过写入电流向第一磁性层41提供外部磁场的写入配线31；由具有介入空隙且对向的一对端面5a的约环状体制成，以包围写入配线31外围的方式配置的磁轭5；和，控制写入电流的导通的写入晶体管32。而且，TMR元件4以其一对侧面4a分别与磁轭5的一对端面5a对向的方式配置。只要利用该构成，就可有效地将基于写入电流的磁场提供给TMR元件4，所以即使用小的写入电流也可使第一磁性层41的磁化方向A反转。

公开(公告)号：CN1758371A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510098774.3

申请日：2005-09-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 古贺启治

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/1675

Abstract: 本发明涉及一种可降低强磁性材料扩散到半导体区域内的磁存储器。磁存储器1具有由m行n列(m、n是2以上的整数)构成的二次元状排列的多个存储区域3。再者，磁存储器1具有：含有写入晶体管32的漏极区域32a和源极区域32c的半导体层6；含有TMR元件4和写入配线31的磁性材料层8；和，夹在半导体层6与磁性材料层8之间且含有位配线13a、13b以及字配线14的配线层7。这样，通过将配线层7夹在磁性材料层8与半导体层6之间，则从TMR元件4扩散(迁移(migration))的强磁性材料难以到达半导体层6，所以可降低强磁性材料扩散到漏极区域32a和源极区域32c内。

公开(公告)号：CN1497601A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03164878.9

申请日：2003-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江崎城一朗 ,  柿沼裕二 ,  古贺启治

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 每个存储单元由一对磁存储元件构成。所述磁存储元件分别通过一对防逆电流二极管使其一端连接到读出位线而使其另一端连接到读出字线。在读出字线的接地端设置恒流电路。所述恒流电路具有固定流过读出字线的电流的功能并且由恒压发生二极管、晶体管和限流电阻器构成。

公开(公告)号：CN100380521C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310119932.X

申请日：2003-11-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江崎城一朗 ,  柿沼裕二 ,  古贺启治

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括：磁阻效应元件，磁阻效应元件包括磁敏感层，该层的磁化方向根据外部磁场而变；写线，向写线提供写电流，以便向磁敏感层施加外部磁场；以及写电流驱动电路，它包括用于控制写线中写电流的方向的电流方向控制部分以及用于将写线中的写电流量控制为恒定值的电流量控制部分。

公开(公告)号：CN1873827A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085067.5

申请日：2006-05-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 古贺启治

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的磁存储器及其制造方法。在磁轭(5)和感磁层(5b)的磁连接部附近，感磁层(5b)内的磁化的方向紊乱。即，如果读出时起作用的感磁层(5b)中的固定层相对区域的磁化的方向不紊乱，则可靠性提高。所以，在本磁存储器中，使固定层(43、44)的面积(S1)比感磁层(5b)的面积(S2)小，在感磁层(5b)的与固定层相对的部分，形成与其周围的区域相比、磁化的方向相对不紊乱的结构，使数据读出时的可靠性提高。

公开(公告)号：CN1505041A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119932.X

申请日：2003-11-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江崎城一朗 ,  柿沼裕二 ,  古贺启治

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括：磁阻效应元件，磁阻效应元件包括磁敏感层，该层的磁化方向根据外部磁场而变；写线，向写线提供写电流，以便向磁敏感层施加外部磁场；以及写电流驱动电路，它包括用于控制写线中写电流的方向的电流方向控制部分以及用于将写线中的写电流量控制为恒定值的电流量控制部分。

公开(公告)号：CN1495929A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03125540.X

申请日：2003-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江崎城一朗 ,  古贺启治 ,  柿沼裕二

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/16

Abstract: 磁阻效应元件包括有磁敏感层的叠层体，外部磁场改变磁敏感层的磁化方向，构成为使电流按垂直于其叠层面的方向流动，设置在叠层体的一面的边上的环形磁性层用沿着叠层面的方向构成轴向并被多根引线穿过，使电流流入多根引线能形成闭合磁路，能更有效地进行磁敏感层的磁化反向。