公开(公告)号：CN87105776A

公开(公告)日：1988-02-24

申请号：CN87105776

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰仲

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12 ,  H01L29/95

Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。

公开(公告)号：CN1050464A

公开(公告)日：1991-04-03

申请号：CN90108581.2

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  坂垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰钟

IPC: H01G4/12 ,  H01G1/01

Abstract: 一种其介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可 钎焊性和抗拉强度优异的边界层型钛酸锶系半导体 陶瓷电容器的制造方法。该电容器有一个由该钛酸 锶系组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面涂上 主要含锌和铝粉的导电糊料，经烘焙形成为有第一导 电层，再在第一导电层上涂上主要含铜粉的导电糊 料，经烘焙形成为第二导电层。

公开(公告)号：CN1046635A

公开(公告)日：1990-10-31

申请号：CN90103957.8

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰伸

IPC: H01G4/12 ,  H01G1/005

Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为合成物的0.1至0.4克分子％。该电容器有一个由该合成物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。还提供了制造该电容器的方法。

公开(公告)号：CN1014661B

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN90103957.8

申请日：1987-07-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰伸

IPC: H01G4/12 ,  H01G1/005

Abstract: 本发明公开了一种以钛酸锶为基料的半导体陶瓷电容器的制造方法，该方法包括：往半导体陶瓷表面涂上第一导电浆料，并烘焙之，以在所述半导体陶瓷体上形成第一导电层。所述第一导电浆料主要选自锌粉和铝粉组成的料组金属粉。此后，在所述第一导电层表面涂上第二导电浆料，并烘焙之，以在所述第一导电层上形成第二导电层。所述第二导电浆料的主要成分为铜。这种电容器电极高度可靠，价格不贵，可钎焊性的抗拉强度优异，且无金属迁移现象。

公开(公告)号：CN1011838B

公开(公告)日：1991-02-27

申请号：CN87105776

申请日：1987-07-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野秀一 ,  板垣秋一 ,  矢作正博 ,  古川喜代志 ,  藤原忍 ,  及川泰伸

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12

Abstract: 一种电气和物理性能优异足以用作边界层型半导体陶瓷电容器的钛酸锶系半导体陶瓷合成物和一种介电常数和绝缘电阻有所提高、电极的可钎焊性和抗拉强度优异的电容器。该组合物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半导电性添加剂。Y2O3和Nb2O5的含量各为组合成物的0.1至0.4克分子%。该电容器有一个由该组合物制成的半导体陶瓷体，陶瓷体各表面形成有第一导电层，第一导电层上形成有第二导电层。