公开(公告)号：CN103107325A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210450382.9

申请日：2012-11-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 卢荣镐 ,  金亨谟 ,  金炳秀 ,  张宰赫 ,  李载龙

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/5825 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 提供了一种含有进一步掺杂或涂覆有氟磷酸盐的式1化合物的锂二次电池用阴极活性材料，其通过向前体化合物中添加氟磷酸盐并进行烧结和热处理而制备，具有改进的和稳定性，因此可用于改善锂二次电池的效率：式1Lia Nix Coy M′z Mn(1-x-y-z)O2其中M′，a，x，y和z与说明书中定义相同。

公开(公告)号：CN110233101A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910161445.0

申请日：2019-03-04

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 金炳秀 ,  晋圭安 ,  吴濬禄

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由化学式1或化学式2表示的硅化合物的第二成分，还提供一种半导体工艺，包括使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁及/或者除去有机物或无机物的步骤。

公开(公告)号：CN103107325B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210450382.9

申请日：2012-11-12

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 卢荣镐 ,  金亨谟 ,  金炳秀 ,  张宰赫 ,  李载龙

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/5825 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 提供了一种含有进一步掺杂或涂覆有氟磷酸盐的式1化合物的锂二次电池用阴极活性材料，其通过向前体化合物中添加氟磷酸盐并进行烧结和热处理而制备，具有改进的和稳定性，因此可用于改善锂二次电池的效率：（式1）LiaNixCoyM′z Mn(1-x-y-z)O2其中M′，a，x，y和z与说明书中定义相同。

公开(公告)号：CN110229720A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910161444.6

申请日：2019-03-04

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 金炳秀 ,  晋圭安 ,  吴濬禄

IPC: C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/22 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02 ,  C11D7/60

Abstract: 提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由化学式1表示的硅化合物的第二成分，还提供一种半导体工艺，包括使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁及/或者除去有机物或无机物的步骤。