公开(公告)号：CN112094396A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010550604.9

申请日：2020-06-16

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 郑恩先 ,  尹钟旭 ,  许惠暎 ,  徐章源

IPC: C08G18/76 ,  C08G18/75 ,  C08G18/66 ,  C08G18/48 ,  C08G18/32 ,  C08G18/12 ,  C08J9/04 ,  C08L75/08 ,  B24B37/24 ,  B24B1/00 ,  H01L21/3105

Abstract: 根据本发明的组合物可调节聚氨酯类预聚物中的一个NCO基团反应过的甲苯2，4‑二异氰酸酯及未反应的甲苯2，6‑二异氰酸酯的重量比，以控制胶凝时间等物性。因此，通过固化根据本发明的组合物来获得的抛光垫既具有适合于软垫的硬度又可以控制抛光率和垫切割率，从而利用上述抛光垫可有效地制造出高质量的半导体器件。

公开(公告)号：CN111975655A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010274916.1

申请日：2020-04-09

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹钟旭 ,  郑恩先 ,  许惠映 ,  徐章源

IPC: B24D3/28 ,  B24D18/00

Abstract: 本发明提供了一种抛光垫，其交联密度被调节以增强CMP工艺的性能，例如抛光速率和垫磨削速率。另外，在根据本实施方案的抛光垫的制备方法中，可以通过控制用于固化的模具的预热温度的简单方法来实现这种交联密度。因此，可以将所述抛光垫应用于包括CMP工艺的制备半导体器件的工艺中，以提供具有优异品质的半导体器件，例如晶圆。

公开(公告)号：CN110625511A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910407219.6

申请日：2019-05-15

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  安宰仁 ,  文寿泳

IPC: B24B29/02 ,  B24B37/20 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26 ,  B24B55/06 ,  B24D18/00

Abstract: 本申请提供一种抛光垫，其包括多个第一凹槽，该第一凹槽为具有相同中心的几何形状；和多个第二凹槽，该第二凹槽从该中心向外周边径向延伸，其中该第二凹槽的深度等于或者深于该第一凹槽的深度。抛光垫可以快速排出在抛光过程中产生的任何碎屑，以减少例如晶片表面上的划痕等缺陷。

公开(公告)号：CN110385642A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910317852.6

申请日：2019-04-19

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  尹钟旭 ,  尹晟勋 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/24 ,  B24D18/00 ,  C08J5/18 ,  C08J9/236 ,  C08J9/12 ,  C08L75/04

Abstract: 本发明的实例涉及使用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，CMP)工序的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法，根据实例，可调节包含于上述多孔性聚氨酯研磨垫的多个气孔的大小及分布，由此可以提供具有适当的耐电压及优秀的研磨性能(研磨率)等物性提高的多孔性聚氨酯研磨垫。

公开(公告)号：CN110385641A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910305360.5

申请日：2019-04-16

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 许惠暎 ,  徐章源 ,  尹钟旭 ,  尹晟勋 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/20 ,  B24D18/00

Abstract: 本发明的实施例涉及使用于半导体的化学机械平坦化工序的多孔性研磨垫及其制备方法，根据实施例，可调节考虑包含于多孔性研磨垫的多个气孔的体积的大小及分布，由此使上述多个气孔具有特定范围的表观体积加权平均气孔直径，从而可提供研磨率等物性优秀的多孔性研磨垫。

公开(公告)号：CN112571303A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931497.1

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24D11/00 ,  B24D11/02

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含硅烷类重复单元的聚氨酯，通过抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN112571273A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910931840.2

申请日：2019-09-29

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 徐章源 ,  安宰仁 ,  尹晟勋 ,  许惠暎 ,  尹钟旭 ,  文寿泳

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24

Abstract: 本发明涉及一种减少抛光基板的缺陷数量的抛光垫、该抛光垫的制造方法及利用该抛光垫的抛光方法，该抛光垫含有在其主链上包含氟化重复单元的聚氨酯，通过所述抛光垫和气相二氧化硅浆抛光的基板具有缺陷为在40个以下的低缺陷特性。

公开(公告)号：CN109202693A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811102874.2

申请日：2018-09-20

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 尹晟勋 ,  徐章源 ,  权泰庆 ,  安宰仁 ,  尹钟旭 ,  许惠映

IPC: B24B37/20 ,  B24D18/00 ,  B24B37/22 ,  B24B37/26

Abstract: 实施方案涉及一种用于化学机械平坦化工艺并具有防泄漏效果的抛光垫及其制造方法。一实施方案提供一种抛光垫，其包括：具备第一通孔的抛光层；设置于所述抛光层下面的支撑层；以及设置于所述第一通孔中的窗户，并且包括选自第一压缩区域及第二压缩区域的一个以上的压缩区域，在所述第一压缩区域，所述支撑层设置在与所述窗户的外周边区域相对应的区域中，在所述第二压缩区域，所述支撑层设置在与所述窗户的内周边区域相对应的区域中。该抛光垫气密性优异，从而具有防止在化学机械平坦化工艺期间有可能发生的泄漏的效果。