公开(公告)号：CN104167454B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410354042.5

申请日：2014-05-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔敏镐 ,  朴铉定 ,  崔正薰 ,  崔荣镐

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。

公开(公告)号：CN104167454A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410354042.5

申请日：2014-05-16

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔敏镐 ,  朴铉定 ,  崔正薰 ,  崔荣镐

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0682 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/068

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。讨论的太阳能电池包括：具有基区和掺杂区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的掺杂层，掺杂层具有不同于掺杂区的导电类型；介于掺杂层和半导体衬底之间的隧道层；连接到掺杂区的第一电极；和连接到掺杂层的第二电极。