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公开(公告)号：CN101517001B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200780034593.1
申请日：2007-09-18
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08L83/04
CPC classification number: C09D183/04 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明涉及一种用于通过低温固化制备具有高强度、耐磨性和优异隔离性能的优异保护膜的组合物、由该组合物制备的保护膜、包括该保护膜的基板以及包括该基板的元件或器件。该组合物包含有机硅氧烷聚合物a)、光产碱剂b)和有机溶剂c)。
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公开(公告)号：CN1759135B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480006418.8
申请日：2004-04-16
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/12 , H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/50 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种有机硅氧烷树脂和使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜。该绝缘膜是通过使用有机硅氧烷树脂而被制备，其中，有机硅氧烷树脂为含有一种或多种氢化硅烷化合物的硅烷复合物的水解-缩合聚合物。本发明的有机硅氧烷树脂和使用该树脂的绝缘膜具有优良的机械特性和低介电特性，并且因此，适合用于高度集成的半导体设备。
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公开(公告)号：CN1697865A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000330.5
申请日：2004-03-31
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09D183/04
CPC classification number: C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。
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公开(公告)号：CN101517001A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034593.1
申请日：2007-09-18
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08L83/04
CPC classification number: C09D183/04 , Y10T428/24942 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明涉及一种用于通过低温固化制备具有高强度、耐磨性和优异隔离性能的优异保护膜的组合物、由该组合物制备的保护膜、包括该保护膜的基板以及包括该基板的元件或器件。该组合物包含有机硅氧烷聚合物a)、光产碱剂b)和有机溶剂c)。
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公开(公告)号：CN1867604A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029766.7
申请日：2004-10-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G61/12 , C08J9/00 , C09D171/02 , H01B3/46 , H01B3/18
CPC classification number: C08G65/32 , C08G63/08 , C08G83/003 , H01B3/421 , H05K3/4676
Abstract: 本发明涉及一种新的放射状多支链聚合物。该放射状多支链聚合物包括侧链在至少三个位置键合到其上的中心分子并且具有500～100,000的平均分子量，所述的侧链选自包括聚氧化烯、聚丙烯酸酯、聚酯、聚酰胺及其衍生物的组。该放射状多支链聚合物用于制备低介电绝缘膜，从而提供具有易于控制的微孔的低介电绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1662578A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814811.0
申请日：2003-06-27
Applicant: LG·化学株式会社
CPC classification number: H01L21/3121 , C08G77/48 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物，特别涉及一种有机硅酸盐聚合体，所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备：混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物，然后加入水和催化剂以进行水解和缩合，而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物，用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质，本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法，及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体；一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜，其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰；通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能，可阻止相分离，可容易地控制微孔，因为在固化过程中有机物质热分解形成孔，而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。
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公开(公告)号：CN1646605A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808713.8
申请日：2003-03-28
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/06
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/06 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种通过混合硅烷化合物与有机溶剂以制备第一混合物，以及通过加入水和催化剂以水解并缩合第一混合物而制备的有机硅酸盐聚合物；该第一混合物选自包含氧化氢硅烷、环硅氧烷、氧化氢硅烷与硅烷或硅烷低聚物的第二混合物、和环硅氧烷与硅烷或硅烷低聚物的第三混合物的组；还涉及通过应用该有机硅酸盐聚合物形成半导体器件的绝缘薄膜的复合物；一种应用该复合物制备绝缘薄膜的方法；以及包含该绝缘薄膜的半导体器件。
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公开(公告)号：CN100497433C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200480029766.7
申请日：2004-10-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G61/12 , C08J9/00 , C09D171/02 , H01B3/46 , H01B3/18
CPC classification number: C08G65/32 , C08G63/08 , C08G83/003 , H01B3/421 , H05K3/4676
Abstract: 本发明涉及一种新的放射状多支链聚合物。该放射状多支链聚合物包括侧链在至少三个位置键合到其上的中心分子并且具有500～100,000的平均分子量，所述的侧链选自包括聚氧化烯、聚丙烯酸酯、聚酯、聚酰胺及其衍生物的组。该放射状多支链聚合物用于制备低介电绝缘膜，从而提供具有易于控制的微孔的低介电绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100457844C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480000330.5
申请日：2004-03-31
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09D183/04
CPC classification number: C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。
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公开(公告)号：CN100381483C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN03808713.8
申请日：2003-03-28
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/06
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/06 , H01L23/296 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种通过混合硅烷化合物与有机溶剂以制备第一混合物，以及通过加入水和催化剂以水解并缩合第一混合物而制备的有机硅酸酯聚合物；该第一混合物选自由氧化氢硅烷、环硅氧烷、氧化氢硅烷与硅烷或硅烷低聚物的第二混合物、和环硅氧烷与硅烷或硅烷低聚物的第三混合物组成的组；还涉及通过应用该有机硅酸酯聚合物形成半导体器件的绝缘薄膜的组合物；一种应用该组合物制备绝缘薄膜的方法；以及包含该绝缘薄膜的半导体器件。
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