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公开(公告)号:CN111574959A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN202010101939.2
申请日:2020-02-19
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 提供研磨用组合物及研磨方法。提供在使用了钴、钌、钼等电阻低且可细线化的金属的、特别是使用这些金属作为埋入布线的半导体集成电路装置的布线形成用的CMP中所用的组合物中,不使用氧化剂且能以高的研磨速度对金属层进行研磨的研磨用组合物、和使用该研磨用组合物的研磨方法。一种研磨用组合物,其特征在于,含有规定的化合物(1)、氧化铈、和水,所述规定的化合物(1)在分子内具有S=C
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公开(公告)号:CN119768483A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202380060788.2
申请日:2023-08-22
Applicant: AGC株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B1/00 , B24B37/015 , B24B53/017 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供能够高速且高平坦地研磨包含树脂的被研磨面的研磨剂、研磨剂用添加液和研磨方法。一种研磨剂,用于对包含树脂的被研磨面进行研磨,含有磨粒、水溶性含氮化合物和水,上述水溶性含氮化合物包含下述式(1)~(3)表示的化合物或其盐。其中,各符号如说明书中记载。#imgabs0#
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