公开(公告)号：CN106455344B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201610081813.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 馗鼎奈米科技股份有限公司

Inventor： 苏静雯 ,  沈泊承 ,  洪昭南 ,  陈俊钦 ,  游闵盛 ,  陈彦傅 ,  李祖宏 ,  王世昌

IPC: H05K3/06

Abstract: 一种金属线路的制造方法，包含提供基板。基板表面上依序设有金属层及光刻胶层。对光刻胶层进行曝光步骤以在光刻胶层中形成曝光部及未曝光部。利用显影剂进行显影步骤以移除曝光部或未曝光部并暴露出部分金属层。于显影步骤后部分显影剂残留在金属层暴露部分上。进行等离子处理以在显影剂残留部分与金属层暴露部分上形成亲水性官能基。利用蚀刻剂对金属层暴露部分进行蚀刻步骤以移除金属层的暴露部分。于蚀刻步骤期间蚀刻剂与显影剂残留部分上的亲水性官能基键结而移除显影剂的残留部分。显影剂残留部分经等离子处理后可有效去除，可提高金属线路图案转移的准确性与质量，提升蚀刻工艺良率。等离子可粗化金属层表面，增进材料层对金属层的附着性。

公开(公告)号：CN106455344A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610081813.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 馗鼎奈米科技股份有限公司

Inventor： 苏静雯 ,  沈泊承 ,  洪昭南 ,  陈俊钦 ,  游闵盛 ,  陈彦傅 ,  李祖宏 ,  王世昌

IPC: H05K3/06

CPC classification number: H05K3/06 ,  H05K2203/052 ,  H05K2203/095

Abstract: 一种金属线路的制造方法，包含提供基板。基板表面上依序设有金属层及光刻胶层。对光刻胶层进行曝光步骤以在光刻胶层中形成曝光部及未曝光部。利用显影剂进行显影步骤以移除曝光部或未曝光部并暴露出部分金属层。于显影步骤后部分显影剂残留在金属层暴露部分上。进行等离子处理以在显影剂残留部分与金属层暴露部分上形成亲水性官能基。利用蚀刻剂对金属层暴露部分进行蚀刻步骤以移除金属层的暴露部分。于蚀刻步骤期间蚀刻剂与显影剂残留部分上的亲水性官能基键结而移除显影剂的残留部分。显影剂残留部分经等离子处理后可有效去除，可提高金属线路图案转移的准确性与质量，提升蚀刻工艺良率。等离子可粗化金属层表面，增进材料层对金属层的附着性。