公开(公告)号：CN115296549A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211056495.0

申请日：2022-08-31

申请人： 陕西亚成微电子股份有限公司

发明人： 熊平 ,  杨世红 ,  余远强 ,  周聪 ,  丁永强

IPC分类号： H02M5/10 ,  H02M7/217 ,  H02M1/08 ,  H02H9/02 ,  H02H7/04 ,  H02M1/32

摘要： 本发明提供的一种恒定限流芯片、QR模式的副边反馈限流电路及其控制方法，用以解决现有的QR工作模式下只能提供不同输入电压以及不同工作模式下的过载保护点补偿方法，但无法解决不同输出电压下的过载保护点补偿方法的技术问题。本发明提供的恒定限流芯片，包括退磁检测模块、PWM主控制模块、驱动模块、参数运算模块以及比较器；驱动模块用于将变压器原边功率管导通时间ton分别送入退磁检测模块和参数运算模块；退磁检测模块用于将变压器退磁时间tdemg送入参数运算模块；参数运算模块用于运算得到原边逐周期过流保护参考电压Vth_oc并将其送入比较器，比较后输入PWM主控制模块进行控制。Vth_oc的运算公式为：其中，Vref为基准电压。

公开(公告)号：CN115102151A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210774460.4

申请日：2022-07-01

申请人： 陕西亚成微电子股份有限公司

发明人： 熊平 ,  杨世红 ,  余远强 ,  丁永强 ,  齐玥

IPC分类号： H02H11/00 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

摘要： 本发明涉及一种可实现反向电源保护的智能高侧开关芯片及保护方法，该芯片包括电荷泵、GATE驱动模块、反向保护电阻和反向电源保护电路；反向电源保护电路包括第一驱动电流产生单元、第二驱动电流产生单元、电流上拉单元和电流下拉单元；电流上拉单元用于将GATE驱动模块的驱动电压往上拉；电流下拉单元用于关闭GATE驱动模块的下拉电流。当智能高侧开关芯片的电源反接时，在反向保护电阻上产生压降，该压降通过并联的第一驱动电流产生单元和第二驱动电流产生单元控制功率MOS管的开启，则电源反接时与电源正接时功率MOS管正向导通时的功耗相同，从而保护功率MOS管，解决了现有智能高侧开关芯片在电源反接时容易烧毁功率MOS管的技术问题。