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公开(公告)号：CN100459135C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410048480.5
申请日：2004-06-07
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L27/14609
Abstract: 本发明提供一种用于固态辐射成像器(200)的存储电容器阵列。该成像器阵列包括以成像阵列图案设置在基板上的多个像素(110)。每个像素包括与薄膜开关晶体管(130)连接的光电探测器(120)。多条扫描线(150)沿第一轴方向相对于基板设置在第一高度，多条数据线(140)沿成像阵列的第二轴设置在第二高度。电容器(241)设置在基板上，其中每个电容器具有与相应光电探测器和相应薄膜晶体管连接的第一电极(291)，和与电容器线性电极(251)连接的第二电极(296)。
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公开(公告)号：CN1574375A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048480.5
申请日：2004-06-07
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L27/14609
Abstract: 本发明提供一种用于固态辐射成像器(200)的存储电容器阵列。该成像器阵列包括以成像阵列图案设置在基板上的多个像素(110)。每个像素包括与薄膜开关晶体管(130)连接的光电探测器(120)。多条扫描线(150)沿第一轴方向相对于基板设置在第一高度，多条数据线(140)沿成像阵列的第二轴设置在第二高度。电容器(241)设置在基板上，其中每个电容器具有与相应光电探测器和相应薄膜晶体管连接的第一电极(291)，和与电容器线性电极(251)连接的第二电极(296)。
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公开(公告)号：CN100592546C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610004107.9
申请日：2006-02-20
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·U·李
IPC: H01L51/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B82B3/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G11C13/025 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/861 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/34 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , H01L51/5262 , Y02E10/549 , Y10S977/742 , Y10S977/938
Abstract: 一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。
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公开(公告)号：CN1838446A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610004107.9
申请日：2006-02-20
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·U·李
IPC: H01L51/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B82B3/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G11C13/025 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/861 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/34 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , H01L51/5262 , Y02E10/549 , Y10S977/742 , Y10S977/938
Abstract: 一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。
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