公开(公告)号：CN112054054B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202010760136.8

申请日：2020-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  纪宇婷 ,  郭辉 ,  梁佳博 ,  何艳静 ,  袁昊 ,  王雨田

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形；采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，石墨烯降低了与SiC界面的势垒，欧姆接触的比接触电阻率达到10‑7～10‑8量级，该制备方法可重复性高。

公开(公告)号：CN112054054A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010760136.8

申请日：2020-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  纪宇婷 ,  郭辉 ,  梁佳博 ,  何艳静 ,  袁昊 ,  王雨田

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种新型超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形；采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，石墨烯降低了与SiC界面的势垒，欧姆接触的比接触电阻率达到10‑7～10‑8量级，该制备方法可重复性高。

公开(公告)号：CN112054053B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010760101.4

申请日：2020-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  纪宇婷 ,  梁佳博 ,  郭辉 ,  何艳静 ,  袁昊 ,  王雨田

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；通过光刻法在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻法在Au膜上形成第二转移电极图形；刻蚀掉未被第二转移电极图形覆盖的Au膜；在Au膜上淀积Au材料形成正面电极，并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，与传统的欧姆接触结构相比，高温电学性能更好，更加稳定，且比接触电阻率可以达到10‑7～10‑8量级。

公开(公告)号：CN112054053A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010760101.4

申请日：2020-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  纪宇婷 ,  梁佳博 ,  郭辉 ,  何艳静 ,  袁昊 ,  王雨田

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；通过光刻法在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻法在Au膜上形成第二转移电极图形；刻蚀掉未被第二转移电极图形覆盖的Au膜；在Au膜上淀积Au材料形成正面电极，并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，与传统的欧姆接触结构相比，高温电学性能更好，更加稳定，且比接触电阻率可以达到10‑7～10‑8量级。

公开(公告)号：CN112054055B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010762526.9

申请日：2020-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  纪宇婷 ,  郭辉 ,  梁佳博 ,  何艳静 ,  袁昊 ,  王雨田

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。

公开(公告)号：CN112054055A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010762526.9

申请日：2020-07-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡彦飞 ,  纪宇婷 ,  郭辉 ,  梁佳博 ,  何艳静 ,  袁昊 ,  王雨田

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面形成背面电极；通过光刻，在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻，在SiC衬底上形成第二转移电极图形；在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料；剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案，且改善了接触电阻扩散和电迁移问题，提升了功率器件的稳定性和寿命，新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。