一种在超重力环境下测量接触角的装置及方法

    公开(公告)号:CN104330338B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201410620488.8

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: G01N13/00

    摘要: 本发明提供了一种在超重力环境下测量接触角的装置及方法,包括长臂离心机系统、接触角测量系统,长臂离心机系统由转动系统、长臂系统、承重系统组成;接触角测量系统由密闭腔室、进液系统、照明系统、在线观测系统、样品台系统组成。本发明克服了常规接触角测定仪体积庞大、无法在离心超重条件下测量接触角的缺点,取得了在离心超重和常重力条件下准确测量固—液动态接触角的效果。

    基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法

    公开(公告)号:CN107574480B

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201710776715.X

    申请日:2017-09-01

    IPC分类号: C30B30/04 C30B7/00

    摘要: 本发明提供了一种基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法,混合顺磁介质溶液和样品分子,得到过饱和结晶溶液体系;将结晶溶液体系置于磁悬浮装置中进行晶体生长;观察晶体的生长状况,若得到无界面接触悬浮生长的单晶体,则终止实验;若所得晶体在液面上则降低顺磁介质浓度,若所得晶体在溶液底部,则增加顺磁介质浓度;若没有晶体长出则增加结晶溶液各组分浓度,若晶体为多晶,则降低结晶溶液各组分浓度。本发明实现了均相成核,得到了优质单晶体,且价格低廉,准备简单,使用范围广。

    基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法

    公开(公告)号:CN107574480A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710776715.X

    申请日:2017-09-01

    IPC分类号: C30B30/04 C30B7/00

    摘要: 本发明提供了一种基于抗磁约束的无界面接触溶液单晶自由生长方法,混合顺磁介质溶液和样品分子,得到过饱和结晶溶液体系;将结晶溶液体系置于磁悬浮装置中进行晶体生长;观察晶体的生长状况,若得到无界面接触悬浮生长的单晶体,则终止实验;若所得晶体在液面上则降低顺磁介质浓度,若所得晶体在溶液底部,则增加顺磁介质浓度;若没有晶体长出则增加结晶溶液各组分浓度,若晶体为多晶,则降低结晶溶液各组分浓度。本发明实现了均相成核,得到了优质单晶体,且价格低廉,准备简单,使用范围广。

    一种在超重力环境下测量接触角的装置及方法

    公开(公告)号:CN104330338A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410620488.8

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: G01N13/00

    摘要: 本发明提供了一种在超重力环境下测量接触角的装置及方法,包括长臂离心机系统、接触角测量系统,长臂离心机系统由转动系统、长臂系统、承重系统组成;接触角测量系统由密闭腔室、进液系统、照明系统、在线观测系统、样品台系统组成。本发明克服了常规接触角测定仪体积庞大、无法在离心超重条件下测量接触角的缺点,取得了在离心超重和常重力条件下准确测量固—液动态接触角的效果。