公开(公告)号：CN116190253A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211481516.3

申请日：2022-11-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 郑淑娟 ,  谢征林 ,  韦志文 ,  王慧云 ,  凯克·蒂姆·昂 ,  张超发 ,  巴德尔·希斯亚姆·伊斯梅 ,  罗振扬 ,  罗尼赞·穆赫德萨利赫 ,  诺莉扎·莫尔班 ,  杨斯豪

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：提供金属基板，该金属基板包括基部和多个金属柱，基部是具有基本均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘模制料的封装体；将半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以便在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。