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公开(公告)号：CN119167879B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411412788.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N10/40 , H10H20/841
Abstract: 本发明公开了一种DBR和Micro‑LED的结构设计方法及电子设备，DBR结构设计方法包括：步骤1：获取当前取值范围；步骤2：确定n的最优值；步骤3：确定第一折射层与第二折射层的厚度的最优值；步骤4：确定当前最优DBR结构并获取其透射率与入射角度的关系曲线图，记作第一关系曲线图；步骤5：对第一关系曲线图所对应的当前最优DBR结构的准直效果进行评估，得到第一评估结果，若第一评估结果满足预设条件，将第一关系曲线图对应的当前最优DBR结构的参数作为最优设计参数；若第一评估结果不满足预设条件，则返回步骤1重新获取当前取值范围，直至第一评估结果满足预设条件。本发明的结构设计方法，保证设计的DBR结构能够使Micro‑LED具有良好的出光效果和准直度。
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公开(公告)号：CN119167879A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411412788.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N10/40 , H01L33/46
Abstract: 本发明公开了一种DBR和Micro‑LED的结构设计方法及电子设备，DBR结构设计方法包括：步骤1：获取当前取值范围；步骤2：确定n的最优值；步骤3：确定第一折射层与第二折射层的厚度的最优值；步骤4：确定当前最优DBR结构并获取其透射率与入射角度的关系曲线图，记作第一关系曲线图；步骤5：对第一关系曲线图所对应的当前最优DBR结构的准直效果进行评估，得到第一评估结果，若第一评估结果满足预设条件，将第一关系曲线图对应的当前最优DBR结构的参数作为最优设计参数；若第一评估结果不满足预设条件，则返回步骤1重新获取当前取值范围，直至第一评估结果满足预设条件。本发明的结构设计方法，保证设计的DBR结构能够使Micro‑LED具有良好的出光效果和准直度。
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公开(公告)号：CN119967975A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510450196.2
申请日：2025-04-11
Applicant: 苏州大学
IPC: H10H20/855 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种倒装微型发光二极管及其制备方法，所述倒装微型发光二极管包括按照矩阵排列的多个发光单元，每个所述发光单元包括沿着所述倒装微型发光二极管的出光方向层叠设置的主体结构与出光面结构，所述主体结构包括n型半导体结构，所述n型半导体结构与所述出光面结构一体成型；所述出光面结构包括斜面结构，所述斜面结构包括沿所述n型半导体结构的边缘至所述n型半导体结构的中心分布的n级斜面，n大于或等于2；所述斜面与水平面的夹角沿所述出光方向逐渐减小。本发明的倒装微型发光二极管，采用的多段倾斜面可以减小全内反射，增加光线出射的可能性，让更多的光可以逃逸出去，从而提升顶部光提取效率。
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公开(公告)号：CN119967955A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510453035.9
申请日：2025-04-11
Applicant: 苏州大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/812 , H10H20/816 , H10H20/815 , H10H20/831 , H10H20/855
Abstract: 本发明公开了一种高表面光提取效率的微型发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一LED外延片；其中，所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层；对所述GaN半导体层的N面进行退火处理，使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO，得到GaN‑GaO半导体层；对所述GaN‑GaO半导体层的N面进行刻蚀，得到多面微锥镜图案层；其中，所述多面微锥镜图案层包括规则排列的多个多面微锥镜，相邻所述多面微锥镜的底部边缘相互贴合；所述多面微锥镜的底高比为（1‑2.5）:1。本发明的提升微型发光二极管表面光提取效率的方法，通过在半导体层的N面上设置特殊结构的多面微锥镜图案层，可以增大表面光提取效率及表面出光占比。
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