基于杂化型等离子共振增强的红外探测器

    公开(公告)号:CN109659387B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN201811581248.6

    申请日:2018-12-24

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于光电探测和传感技术领域,为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器的制备成本偏高、光吸收不高和吸收波段调制困难的问题提出一种基于杂化型等离子共振增强的红外探测器,利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器;通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底金属膜层的表面等离激元,以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收,并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层,从而得到可观的光响应度;通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。

    一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN110729372A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910931220.9

    申请日:2019-09-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,提供一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包含硅基底和金属光栅;金属光栅和硅基底之间有一层钛薄膜作为粘附层;金属光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金属光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金属的光吸收效率、热电子产生率,减少了热电子的热化损失,增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率,进而提升了光电探测器的响应度;调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。

    一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN110729372B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201910931220.9

    申请日:2019-09-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,提供一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包含硅基底和金属光栅;金属光栅和硅基底之间有一层钛薄膜作为粘附层;金属光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金属光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金属的光吸收效率、热电子产生率,减少了热电子的热化损失,增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率,进而提升了光电探测器的响应度;调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。

    基于杂化型等离子共振增强的红外探测器

    公开(公告)号:CN109659387A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811581248.6

    申请日:2018-12-24

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于光电探测和传感技术领域,为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器的制备成本偏高、光吸收不高和吸收波段调制困难的问题提出一种基于杂化型等离子共振增强的红外探测器,利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器;通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底层金属薄膜的表面等离激元,以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收,并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层,从而得到可观的光响应度;通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。

    一种用于制作红外探测器的复合结构及红外探测器

    公开(公告)号:CN209087884U

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201822171481.9

    申请日:2018-12-24

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型属于光电探测和传感技术领域,为解决现有技术中基于金属吸收的光探测器光吸收不高和吸收波段调制困难的问题,提出一种用于制作红外探测器的复合结构,利用金属微纳米孔阵列层/半导体薄膜/金属薄膜复合结构构筑基于金属吸收的热电子红外探测器;通过激发顶层金属微纳米孔阵列的局域等离子共振、底层金属薄膜的表面等离激元,以及将两者耦合起来形成的杂化型等离子共振来极大增加金属对入射光的吸收,并将上下两层金属吸收光产生的热载流子均注入到中间半导体层,从而得到可观的光响应度;通过调控顶层微纳米孔的周期和直径、中间半导体层的厚度和折射率可以实现从近红外到中红外的可调光谱吸收。

    一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器

    公开(公告)号:CN210245520U

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201921639532.4

    申请日:2019-09-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本实用新型涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,提供一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器,包含硅基底和金光栅;金光栅和硅基底之间有一层钛薄膜层作为粘附层;金光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率,减少了热电子的热化损失,增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率,进而提升了光电探测器的响应度;调节金光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。

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