公开(公告)号：CN110729372A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910931220.9

申请日：2019-09-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  施嘉伟 ,  李孝峰 ,  刘添裕 ,  曹诗嘉 ,  眭博闻 ,  蔡文杰

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，提供一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包含硅基底和金属光栅；金属光栅和硅基底之间有一层钛薄膜作为粘附层；金属光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金属光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金属的光吸收效率、热电子产生率，减少了热电子的热化损失，增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率，进而提升了光电探测器的响应度；调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。

公开(公告)号：CN110729372B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201910931220.9

申请日：2019-09-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张程 ,  施嘉伟 ,  李孝峰 ,  刘添裕 ,  曹诗嘉 ,  眭博闻 ,  蔡文杰

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，提供一种基于嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器，包含硅基底和金属光栅；金属光栅和硅基底之间有一层钛薄膜作为粘附层；金属光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金属光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金属的光吸收效率、热电子产生率，减少了热电子的热化损失，增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率，进而提升了光电探测器的响应度；调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。

公开(公告)号：CN210245520U

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201921639532.4

申请日：2019-09-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 施嘉伟 ,  李孝峰 ,  张程 ,  刘添裕 ,  曹诗嘉 ,  眭博闻 ,  蔡文杰

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232

Abstract: 本实用新型涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，提供一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，包含硅基底和金光栅；金光栅和硅基底之间有一层钛薄膜层作为粘附层；金光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率，减少了热电子的热化损失，增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率，进而提升了光电探测器的响应度；调节金光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。