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公开(公告)号：CN115110025B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210851191.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法。包括以下步骤：（1）基片预处理：将基片置于等离子溅射沉积装置内，在氩气和氮气存在的条件下，控制磁场强度为50‑1000高斯，对基片进行预处理；（2）溅射沉积：对钨靶板施加0‑300v的直流负偏压，调节输入功率为100‑1000w，进行等离子体溅射沉积，时间为5‑30；（3）真空退火：将基片置于马弗炉中进行真空退火处理，得到最后的氮化钨薄膜。本发明通过基片预处理再进行溅射沉积可以实现硅基片表面高质量氮化钨薄膜的快速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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公开(公告)号：CN115110049A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210739991.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体石英玻璃管内壁镀膜装置。包括底座，所述底座上放置有真空石英管和与真空石英管配合的永磁体，所述真空石英管的一侧设置有螺旋天线，另一侧设置有溅射靶板；所述螺旋天线连接有射频功率系统；所述溅射靶板连接有一传送杆，所述传送杆连接有一驱动装置，所述驱动装置带动所述传送杆转动且带动所述传送杆沿真空石英管的轴向移动。本发明的镀膜装置，可以根据不同的镀膜需求，更换具有不同材料组分的溅射靶板，从而实现多类型薄膜涂覆。
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公开(公告)号：CN115074689B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210856476.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体反应溅射沉积制备氮化钛薄膜的方法。包括以下步骤：（1）溅射前样品处理；（2）氩螺旋波等离子体预溅射；（3）溅射镀膜。本发明的制备方法通过调节加热基片台温度，调制氮化钛薄膜的结晶质量；可以实现不锈钢基片表面氮化钛薄膜的高速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115110025A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210851191.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法。包括以下步骤：（1）基片预处理：将基片置于等离子溅射沉积装置内，在氩气和氮气存在的条件下，控制磁场强度为50‑1000高斯，对基片进行预处理；（2）溅射沉积：对钨靶板施加0‑300v的直流负偏压，调节输入功率为100‑1000w，进行等离子体溅射沉积，时间为5‑30；（3）真空退火：将基片置于马弗炉中进行真空退火处理，得到最后的氮化钨薄膜。本发明通过基片预处理再进行溅射沉积可以实现硅基片表面高质量氮化钨薄膜的快速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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公开(公告)号：CN115074689A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856476.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体反应溅射沉积制备氮化钛薄膜的方法。包括以下步骤：（1）溅射前样品处理；（2）氩螺旋波等离子体预溅射；（3）溅射镀膜。本发明的制备方法通过调节加热基片台温度，调制氮化钛薄膜的结晶质量；可以实现不锈钢基片表面氮化钛薄膜的高速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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公开(公告)号：CN115821223A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211586408.2
申请日：2022-12-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了螺旋波等离子体束辅助磁控溅射装置，包括反应区腔体，发生器、真空发生器、磁控溅射装置、沉积装置、电磁铁装置和充气装置，沉积装置包括一可在所述发生器和真空发生器之间摆动的摆动杆，以及可360°旋转地设置在所述摆动杆的自由端上的沉积台。本发明的有益效果是：将高参数螺旋波等离子体与磁控溅射相结合，综合了螺旋波等离子体高电离率可控参数的优势和磁控溅射稳态溅射的优势，无需高温高压的条件下制备高性能C/Si基纳米功能材料；并解决了溅射过程中的散热、溅射均匀度等问题，通过多路气体输送通道送入放电气体，反应气体或稀释气体，优化气相反应，有助于增强反应活性，提升成膜基团浓度。
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公开(公告)号：CN115436409A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210972200.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法。包括制备定标薄膜样品，其步骤为：将带孔的掩模放置在石英基片上，采用磁控溅射设备，在石英基片上进行溅射沉积，沉积完成后揭开掩模，得到定标薄膜样品，采用台阶仪和扫描电子显微镜，完成定标薄膜厚度的测量。本发明定标薄膜样品沉积在石英基片上，且掩模同样采用石英材质，不会对等离子体推进器的等离子体性能造成太大的干扰和污染，此外，可根据不同的等离子体推进器壁面材料类型，沉积相同材质的定标薄膜。
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公开(公告)号：CN114205985A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111435114.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种小束径螺旋波等离子体产生装置及产生方法，包括：射频天线、真空系统和磁场源；真空系统包括：源区变径石英管和与其连接的扩散区石英管，源区变径石英管包括：宽部和与其相连的窄部，宽部的另一端连接进气部件，所述窄部从扩散区石英管一端延伸至内部，窄部的自由端设置为等离子体射流出口，所述扩散区石英管另一端设置有真空抽气口；射频天线包裹于源区变径石英管外侧，呈右螺旋状；射频天线与射频电源连接；磁场源包括：六块弱磁环形磁铁和两块强磁环形磁铁，环形磁铁圈设于射频天线外。本发明通过新的设计思路使螺旋波等离子体装置小型化、结构简单化、等离子体束流直径与长度可控化，拓展了高密度螺旋波等离子体研究与应用。
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