公开(公告)号：CN105164808B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480024450.2

申请日：2014-03-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 查尔斯·H·丹尼森 ,  合田晃 ,  约翰·霍普金斯 ,  法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ,  克里希纳·K·帕拉

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

公开(公告)号：CN108461500B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201810309077.5

申请日：2014-03-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 查尔斯·H·丹尼森 ,  合田晃 ,  约翰·霍普金斯 ,  法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ,  克里希纳·K·帕拉

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

公开(公告)号：CN108461500A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810309077.5

申请日：2014-03-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 查尔斯·H·丹尼森 ,  合田晃 ,  约翰·霍普金斯 ,  法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ,  克里希纳·K·帕拉

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。

公开(公告)号：CN105164808A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024450.2

申请日：2014-03-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 查尔斯·H·丹尼森 ,  合田晃 ,  约翰·霍普金斯 ,  法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ,  克里希纳·K·帕拉

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。