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公开(公告)号：CN101381857B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810213081.8
申请日：2008-08-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M2200/106
Abstract: 提供一种能够稳定地形成良好质量薄膜且高度适于批量生产的蒸发设备。蒸发设备包括：蒸发源，通过加热释放蒸发材料；保持部件，保持蒸发对象；及热屏蔽部件，它布置在蒸发源与保持部件保持的蒸发对象之间，具有开口以用于汽相状态下的蒸发材料从蒸发源通过到达蒸发对象，及屏蔽蒸发对象以免受蒸发源的部分辐射热量。热屏蔽部件被布置得距离蒸发源比距离保持部件更近。
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公开(公告)号：CN101246954A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810008295.1
申请日：2008-02-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了负极、其制造方法以及一种具有高充放电效率的电池。所述电池具有负极，所述负极在负极集电体上具有负极活性材料层，其中所述负极活性材料层包含硅作为负极活性材料，并且在所述负极活性材料层的表面的至少一部分上包括具有Si－O键和Si－N键的化合物膜。
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公开(公告)号：CN103730627B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310611544.7
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括：负极集电体，及布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，且按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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公开(公告)号：CN101320795B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810109885.3
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M2/0285 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021
Abstract: 本发明一种提供能够改善循环特性和制造成品率的电池。负极包括：负极集电体；和布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包括含有大量孔的负极活性物质，侵入多个孔的水银量的变化率是如下分布的：该变化率在80nm～1200nm且包括端点值的孔径范围内具有峰值，水银侵入量通过水银孔隙率法测量。
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公开(公告)号：CN101587947A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910143040.0
申请日：2009-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中，包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，并且氧的含量为0.5原子％～40原子％。包含在该负极活性物质中的0.1％～17.29％比率的硅以Si-C键存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047238A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710103594.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/38 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种能够缓和应力集中和改善特性的负极和使用它的电池。该负极包括负极集电体和含有硅(Si)作为构成元素的负极活性材料层，其中该负极活性材料层具有其中含有金属元素作为构成元素的金属元素增加和减少区域，并且该金属元素的浓度在厚度方向上增加然后减少。
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公开(公告)号：CN101381857A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810213081.8
申请日：2008-08-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M2200/106
Abstract: 提供一种能够稳定地形成良好质量薄膜且高度适于批量生产的蒸发设备。蒸发设备包括：蒸发源，通过加热释放蒸发材料；保持部件，保持蒸发对象；及热屏蔽部件，它布置在蒸发源与保持部件保持的蒸发对象之间，具有开口以用于汽相状态下的蒸发材料从蒸发源通过到达蒸发对象，及屏蔽蒸发对象以免受蒸发源的部分辐射热量。热屏蔽部件被布置得距离蒸发源比距离保持部件更近。
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公开(公告)号：CN101320795A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109885.3
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M2/0285 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021
Abstract: 本发明一种提供能够改善循环特性和制造成品率的电池。负极包括：负极集电体；和布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包括含有大量孔的负极活性物质，侵入多个孔的水银量的变化率是如下分布的：该变化率在80nm～1200nm且包括端点值的孔径范围内具有峰值，水银侵入量通过水银孔隙率法测量。
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公开(公告)号：CN101320794A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109884.9
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括：负极集电体，及布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，且按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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公开(公告)号：CN101051684A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710087388.3
申请日：2007-04-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/04 , H01M4/0419 , H01M4/0421 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种能够缓和由于膨胀和收缩而产生的应力的负极以及一种使用该负极的电池。在该负极中，包含硅和锡中的至少一种作为元素的负极活性物质层设置在带状负极集电体的两个面上。在负极集电体和负极活性物质层中，形成有至少一个穿透部，该穿透部贯穿负极集电体和负极活性物质层而被切掉或切开，并且以包括所述负极集电体的纵向分量而延伸。
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