公开(公告)号：CN1617032A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410090403.6

申请日：2004-11-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 福原圭司 ,  森肋稔

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136227

Abstract: 本发明提供了可以以高的成品率进行制造和进行高质量显示的电光装置。在该电光装置中，在基板上具有显示用电极、用于驱动显示用电极的布线和电子元件中的至少一方、以及为了将显示用电极与布线和电子元件中的至少一方的每一个相互电绝缘而设置在显示用电极的下层的层间绝缘膜。层间绝缘膜中的至少1个由硼磷硅酸盐玻璃膜构成并且经过流动化状态而对上面进行了平坦化处理。

公开(公告)号：CN101246290B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810005554.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也 ,  森肋稔

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率，并有效降低TFT中光泄漏电流的发生，且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极(3a)的TFT(30)，栅电极(3a)具有：主体部(31a)，在配置为覆盖半导体层(1a)的绝缘膜(202)的开口部(202h)内相对沟道区域(1a′)通过栅绝缘膜(2)来配置；和延伸设置部(32a)，覆盖像素电极侧LDD区域(1c)地从该主体部(31a)延伸设置到绝缘膜(202)上；像素电极侧LDD区域(1c)位于非开口区域(99b)中的第1区域(99ba)及第2区域(99bb)相互交叉的交叉区域(99cr)。

公开(公告)号：CN1609666A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410086540.2

申请日：2004-10-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森肋稔

IPC: G02F1/133 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明提供了电光装置用基板的制造方法，通过具备在基板上顺序叠层成为电容的下部电极的下部导电层，成为电容的电介质膜的中间层以及成为电容的上部电极的上部导电层的同时，用与上部导电层的构成材料相比较，对于预定种类的腐蚀剂的腐蚀速率低的材料形成下部导电层的层形成工序；上部导电层上形成具有预定平面图形的掩模的掩模形成工序；至少对于上部导电层以及下部导电层使用上述腐蚀剂，通过借助上述掩模的腐蚀构图上部导电层、中间层以及下部导电层的构图工序；剥离掩模的剥离工序，能够在基板上简单地制造可靠性高的电容。

公开(公告)号：CN101246290A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810005554.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 石井达也 ,  森肋稔

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78621 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384

Abstract: 本发明提供电光装置用基板、其制造方法、电光装置及电子设备。能在电光装置中实现较高的开口率，并有效降低TFT中光泄漏电流的发生，且实现显示图像的高清晰化。电光装置用基板具备具有栅电极(3a)的TFT(30)，栅电极(3a)具有：主体部(31a)，在配置为覆盖半导体层(1a)的绝缘膜(202)的开口部(202h)内相对沟道区域(1a′)通过栅绝缘膜(2)来配置；和延伸设置部(32a)，覆盖像素电极侧LDD区域(1c)地从该主体部(31a)延伸设置到绝缘膜(202)上；像素电极侧LDD区域(1c)位于非开口区域(99b)中的第1区域(99ba)及第2区域(99bb)相互交叉的交叉区域(99cr)。

公开(公告)号：CN100338507C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200410086540.2

申请日：2004-10-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 森肋稔

IPC: G02F1/1333 ,  H01L21/8229

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136227

Abstract: 本发明提供了电光装置用基板的制造方法，通过具备在基板上顺序叠层成为电容的下部电极的下部导电层，成为电容的电介质膜的中间层以及成为电容的上部电极的上部导电层的同时，用与上部导电层的构成材料相比较，对于预定种类的腐蚀剂的腐蚀速率低的材料形成下部导电层的层形成工序；上部导电层上形成具有预定平面图形的掩模的掩模形成工序；至少对于上部导电层以及下部导电层使用上述腐蚀剂，通过借助上述掩模的腐蚀构图上部导电层、中间层以及下部导电层的构图工序；剥离掩模的剥离工序，能够在基板上简单地制造可靠性高的电容。