公开(公告)号：CN1033654A

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN88106744

申请日：1988-09-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 青山明 ,  下川渡聡 ,  山岸敏彦

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B11/10589 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183

Abstract: 本发明涉及溅射用靶及其制造方法。本发明靶的主要组成含有稀土族金属(RE)及过渡金属(TM)，其金相组织由RE相、RE-TM合金相与TM相三相组成。本发明靶可与各种溅射装置配合，成膜时其组成分布和磁特性分布都很均匀。本发明靶含氧量低、填充密度高，即使在大气中长时间停放，溅射亦从开始就处于稳定，膜磁特性同样也从开始就处于稳定。利用本发明靶可制成由电介质膜与光磁记录膜构成的性能优良的光磁记录介质。