公开(公告)号：CN115274420B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202210972129.3

申请日：2022-08-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙浩 ,  胡波 ,  贾原 ,  东辉 ,  杨磊

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种基于柔性基底ALD二氧化铪薄膜的制备方法，在柔性电子器件不断发展的基础下，硬基底器件以及柔性薄膜较厚的器件都会影响柔性FET发展。随着MOSFET尺寸的不断缩小，其等效氧化物层的厚度减小到纳米数量级别，传统的栅介质材料二氧化硅已经接近物理极限，这时由于量子效应导致MOS的隧穿漏电流急剧增大，从而影响了器件的可靠性和稳定性。本发明的目的是为了克服Si等硬基底制备的器件应用的局限性、将二氧化铪栅介电层代替SiO2，由钛成核层、二氧化铪薄膜层的组合，可以实现高的介电常数，使其在柔性FET和柔性可穿戴器件上应用的性能得到较大改善。

公开(公告)号：CN110951605A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN202010083700.7

申请日：2020-02-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙浩 ,  东辉 ,  贾原

IPC: C12M1/34 ,  C12M1/38 ,  C12Q1/70 ,  C12Q1/686 ,  C12Q1/6844

Abstract: 本发明涉及一种可用于2019-nCoV病毒高通量检测的阵列式纸基芯片及其制造方法。所述阵列式纸基芯片，包括从下而上依次设置的玻璃基底层、纸基单元层和单元栅格层，所述包括阵列排列的N个直径为R的圆形纸基检测单元，所述单元栅格层的单元栅格与纸基检测单元一一对应，以隔开各纸基检测单元。本发明阵列式纸基芯片结构简单，且制作工艺简单、快速和成品稳定，对加工环境和条件要求很低，加工设备价格低廉；并且，加工过程不涉及任何化学试剂，比紫外光刻等方法更为环保。

公开(公告)号：CN115274420A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210972129.3

申请日：2022-08-15

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙浩 ,  胡波 ,  贾原 ,  东辉 ,  杨磊

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种基于柔性基底ALD二氧化铪薄膜的制备方法，在柔性电子器件不断发展的基础下，硬基底器件以及柔性薄膜较厚的器件都会影响柔性FET发展。随着MOSFET尺寸的不断缩小，其等效氧化物层的厚度减小到纳米数量级别，传统的栅介质材料二氧化硅已经接近物理极限，这时由于量子效应导致MOS的隧穿漏电流急剧增大，从而影响了器件的可靠性和稳定性。本发明的目的是为了克服Si等硬基底制备的器件应用的局限性、将二氧化铪栅介电层代替SiO2，由钛成核层、二氧化铪薄膜层的组合，可以实现高的介电常数，使其在柔性FET和柔性可穿戴器件上应用的性能得到较大改善。

公开(公告)号：CN110951605B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010083700.7

申请日：2020-02-10

Applicant: 福州大学

Inventor： 孙浩 ,  东辉 ,  贾原

IPC: C12M1/34 ,  C12M1/38 ,  C12Q1/70 ,  C12Q1/686 ,  C12Q1/6844

Abstract: 本发明涉及一种可用于2019‑nCoV病毒高通量检测的阵列式纸基芯片及其制造方法。所述阵列式纸基芯片，包括从下而上依次设置的玻璃基底层、纸基单元层和单元栅格层，所述包括阵列排列的N个直径为R的圆形纸基检测单元，所述单元栅格层的单元栅格与纸基检测单元一一对应，以隔开各纸基检测单元。本发明阵列式纸基芯片结构简单，且制作工艺简单、快速和成品稳定，对加工环境和条件要求很低，加工设备价格低廉；并且，加工过程不涉及任何化学试剂，比紫外光刻等方法更为环保。