公开(公告)号：CN1304461A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00800858.2

申请日：2000-03-02

Applicant: 直江津电子工业株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 长谷川宏一 ,  大久保裕司

IPC: C30B29/06 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式,能有效地降低全制程所需时间,对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升,进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外,于进行化学蚀刻处理时,由于能将蚀刻量确保在60μm以上,因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此,能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%,而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。

公开(公告)号：CN1247833C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN00800858.2

申请日：2000-03-02

Applicant: 直江津电子工业株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 长谷川宏一 ,  大久保裕司

IPC: C30B29/06 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 直接在化学蚀刻基片上形成硅单晶薄膜之方式，能有效地降低全制程所需时间，对于硅外延晶片之制造成本的降低与制造效能之提升，进而在晶片价格的降低以及交期缩短上有相当大的贡献。此外，于进行化学蚀刻处理时，由于能将蚀刻量确保在60μm以上，因此能将化学蚀刻基片主表面的光泽度提高到95%以上。由此，能将形成于化学蚀刻基片主表面上之硅单晶薄膜之光泽度提高到95%，而在其后之光刻步骤中亦能毫无问题地进行自动校准处理。