公开(公告)号：CN102709288B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210155376.0

申请日：2012-05-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李平 ,  王刚 ,  李威 ,  张大华 ,  谢小东 ,  李建军 ,  范雪

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112

Abstract: 一种总剂量辐射加固的半导体存储器，涉及集成电路。本发明包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。本发明的有益效果是，能够在原先半导体存储器的基础上，无需增加额外的掩膜和工艺步骤，以较小的芯片面积为代价，甚至无需牺牲芯片面积，通过串联上较薄栅氧化层厚度的MOS晶体管，即可提高半导体存储器的抗电离辐射能力。

公开(公告)号：CN102709288A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210155376.0

申请日：2012-05-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李平 ,  王刚 ,  李威 ,  张大华 ,  谢小东 ,  李建军 ,  范雪

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112

Abstract: 一种总剂量辐射加固的半导体存储器，涉及集成电路。本发明包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。本发明的有益效果是，能够在原先半导体存储器的基础上，无需增加额外的掩膜和工艺步骤，以较小的芯片面积为代价，甚至无需牺牲芯片面积，通过串联上较薄栅氧化层厚度的MOS晶体管，即可提高半导体存储器的抗电离辐射能力。