公开(公告)号：CN115377197A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211072230.X

申请日：2022-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  田丰润 ,  何佳敏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一导电类型top层分布在表面，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列，多晶硅电极插入埋氧层中。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流；器件关态时，表面top区可几乎由纵向浮空场板全耗尽，表面场将被top区钳位，因此第二导电类型漂移区的掺杂浓度在更大范围变化时器件表面场均不发生变化，一定程度上杜绝了器件的表面击穿。另外，插入埋氧层的多晶硅电极将电场线引入到埋氧层内，实现了介质场增强，提高了器件的纵向耐压。

公开(公告)号：CN115224112A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210598880.1

申请日：2022-05-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  赵泉钰 ,  何佳敏

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 发明提供一种串联式双栅LIGBT器件及制造方法。第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向场板，所述纵向场板分布在整个第二导电类型漂移区中，形成有纵向场板阵列的匀场IGBT器件。同时以兼容工艺在IGBT阴极端形成低压控制电压电路，如MOS。在低压控制电压电路两侧以兼容工艺制作纵向场板结构，将纵向场板作为介质隔离槽进行高低压隔离。以MOS为例，将低压MOS漏端与IGBT阴极相短接，形成两个串联的器件，栅极短接，以相同栅压同时控制两个器件。由于二者串联，MOS的电流大小即为IGBT的电流大小，因此可以通过改变低压MOS的栅压来改变电流从而限定整个器件的电流，抑制寄生的p‑n‑p‑n闩锁开启。

公开(公告)号：CN115000151A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210599285.X

申请日：2022-05-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  何佳敏 ,  赵泉钰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种耗尽自连续的匀场低阻器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、第四介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，通孔，金属条；第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，形成一种连续耗尽元胞。在漏极加压时，多晶硅电极上会耦合出浮空电位来钳位电势，由于耗尽元胞之间存在交叠区能对漂移区同时进行耗尽。对耗尽元胞中第一介质氧化层的形状进行调节，增强耗尽连续性，提高耐压。还可以将漂移区注入剂量提高，降低比导通电阻。