具有电压生成电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN103488234B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201310232130.3

    申请日:2013-06-07

    Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地,本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路,以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104636289A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201410642934.5

    申请日:2014-11-07

    CPC classification number: G06F13/24 Y02D10/14 G06F13/28

    Abstract: 本发明涉及半导体装置。一种微型计算机包括中央处理单元(CPU)和数据传输控制器(DTC)。数据传输控制器(DTC)从存储设备(RAM)等等中读出包括传输模式信息的数据传输信息。数据传输控制器(DTC)分析所述传输模式信息,以便改变传输源地址,传输目的地地址,传输操作数目和接下来使用的数据传输信息中的至少一个。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104636289B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201410642934.5

    申请日:2014-11-07

    CPC classification number: G06F13/24 Y02D10/14

    Abstract: 本发明涉及半导体装置。一种微型计算机包括中央处理单元(CPU)和数据传输控制器(DTC)。数据传输控制器(DTC)从存储设备(RAM)等等中读出包括传输模式信息的数据传输信息。数据传输控制器(DTC)分析所述传输模式信息,以便改变传输源地址,传输目的地地址,传输操作数目和接下来使用的数据传输信息中的至少一个。

    具有电压生成电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN106951020A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710121050.9

    申请日:2013-06-07

    Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地,本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路,以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。

    具有电压生成电路的半导体器件

    公开(公告)号:CN103488234A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310232130.3

    申请日:2013-06-07

    Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地,本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路,以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。

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