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公开(公告)号:CN103488234B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201310232130.3
申请日:2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地,本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路,以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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公开(公告)号:CN106951020A
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201710121050.9
申请日:2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F3/267 , G05F1/463 , G05F1/465 , G05F1/468 , G05F3/30 , H01L27/0635 , G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地,本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路,以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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公开(公告)号:CN103488234A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310232130.3
申请日:2013-06-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明各实施方式总体上涉及具有电压生成电路的半导体器件。具体地,本发明提供了在广泛温度范围内输出高精度输出电压的电压生成电路。半导体器件具有电压生成电路。该电压生成电路具有输出参考电压的参考电压生成电路,以及用于生成校正电流并且将校正电流反馈至参考电压生成电路的多个校正电路。该校正电路生成从在校正电路之间变化的预先确定的温度向低温度侧或高温度侧单调增加的子校正电流。该校正电流是多个子校正电流的总和。
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