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公开(公告)号：CN103904893B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310725908.4
申请日：2013-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。
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公开(公告)号：CN103904893A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310725908.4
申请日：2013-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/158 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H02M2001/0058 , H03K17/122 , H03K17/164 , H03K2217/0036 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , Y02B70/1491
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路及其操作方法。通过减少从零电压开关（ZVS）的操作原理偏离来减少开关损耗。半导体集成电路包括高侧开关元件Q11和Q12、低侧开关元件Q2以及控制器CNT。去耦合电容Cin耦合于高侧元件的一端与接地电势之间，并且高侧元件包括并联耦合的第一和第二晶体管Q11和Q12。在将高侧元件从导通状态改变成关断状态时，CNT控制器Q12通过相对于Q11延迟Q12来控制Q12从导通状态到关断状态。在半导体芯片Chip1以内将Q11和Q12划分成多个部分，在半导体芯片Chip1以内在Q11和Q12的布置方向上交替地布置通过划分Q11而形成的多个部分第一晶体管和通过划分Q12而形成的多个部分第二晶体管。
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