公开(公告)号：CN112420660A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010782291.X

申请日：2020-08-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 矶崎诚也 ,  小林达也 ,  神纳浩太

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开的实施例涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：键合焊盘，在第一布线层中形成；以及第一布线和第二布线，在第二布线层中形成，该第二布线层设置在第一布线层下方的一层。此处，电源电位和参考电位将分别被供应给各自的第一布线和第二布线。而且，在透视平面图中，第一布线中的每个第一布线彼此邻近布置，并且布置在第二布线层的第一位置处，该第一位置与第一键合焊盘的键合区重叠。而且，在透视平面图中，第二布线布置在第二布线层的第二位置处，该第二位置与位于第一键合焊盘与第二键合焊盘之间的第一区重叠。进一步地，每个第一布线的宽度小于第二布线的宽度。