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公开(公告)号:CN109148423A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810662239.3
申请日:2018-06-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03K3/011 , H01L23/5226 , H01L23/5228 , H01L23/53266 , H01L23/53271 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H03K3/356113 , H01L27/0207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调,期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层,具有第1导电层(51)、第2导电层(52)以及层间导电层(53)的重复图案,所述第1导电层(51)形成于第1布线层,所述第2导电层(52)形成于第2布线层,所述层间导电层(53)将第1导电层(51)与第2导电层(52)连接。
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公开(公告)号:CN107830946A
公开(公告)日:2018-03-23
申请号:CN201710826340.3
申请日:2017-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 松崎智一
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明涉及温度测量电路、集成电路和温度测量方法。可以灵活地响应温度传感器所要求的精度。振荡器11生成时钟信号。振荡器11被配置为能够改变时钟信号的频率和温度之间的关系。计数器13被配置为通过使用具有不根据温度变化的频率的基准信号来对振荡器11生成的时钟信号进行计数。CPU 16基于振荡器11的时钟信号的频率和温度之间的关系以及计数器13的计数值来生成温度信息。控制电路14在计数器13溢出时改变在振荡器11中的时钟信号的频率和温度之间的关系。
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公开(公告)号:CN110875276A
公开(公告)日:2020-03-10
申请号:CN201910654902.X
申请日:2019-07-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H03K3/011
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。在模塑封装过程结束后,多晶硅电阻具有大电阻变化率。为了实现高精度微调,期望实现几乎不受通过模塑封装过程在衬底中生成的应力和温度波动影响的电阻。电阻元件形成在多个布线层中,并且具有形成在第一布线层中的第一导电层、形成在第二布线层中的第二导电层、以及连接第一导电层和第二导电层的层间导电层的重复图案,并且层间导电层由多种材料形成。
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公开(公告)号:CN102739240B
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201210088950.5
申请日:2012-03-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03L1/02
CPC classification number: G05F3/262 , G05F1/561 , G05F3/10 , G05F3/20 , G05F3/245 , H03K3/0231 , H03L1/022
Abstract: 本发明涉及恒流产生电路以及包括其的微处理器。本发明的恒流产生电路包括:温度可变电压产生单元,产生电压值随温度而波动的第一变化电压;变化梯度调节单元,基于随温度的变化的量小于第一变化电压的基准电压和第一变化电压产生第二变化电压;以及电流产生单元,包括电阻值随温度而波动的电流设定电阻器,并基于第二变化电压和电流设定电阻器产生输出电流。变化梯度调节单元设定第二变化电压的随温度的变化的系数,使得其与电流设定电阻器的电阻值的随温度的变化的系数之间的差值处于预设的第一规定范围内。
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公开(公告)号:CN102739240A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210088950.5
申请日:2012-03-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03L1/02
CPC classification number: G05F3/262 , G05F1/561 , G05F3/10 , G05F3/20 , G05F3/245 , H03K3/0231 , H03L1/022
Abstract: 本发明涉及恒流产生电路以及包括其的微处理器。本发明的恒流产生电路包括:温度可变电压产生单元,产生电压值随温度而波动的第一变化电压;变化梯度调节单元,基于随温度的变化的量小于第一变化电压的基准电压和第一变化电压产生第二变化电压;以及电流产生单元,包括电阻值随温度而波动的电流设定电阻器,并基于第二变化电压和电流设定电阻器产生输出电流。变化梯度调节单元设定第二变化电压的随温度的变化的系数,使得其与电流设定电阻器的电阻值的随温度的变化的系数之间的差值处于预设的第一规定范围内。
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公开(公告)号:CN208589437U
公开(公告)日:2019-03-08
申请号:CN201820986413.5
申请日:2018-06-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调,期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层,具有第1导电层(51)、第2导电层(52)以及层间导电层(53)的重复图案,所述第1导电层(51)形成于第1布线层,所述第2导电层(52)形成于第2布线层,所述层间导电层(53)将第1导电层(51)与第2导电层(52)连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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