公开(公告)号：CN101206919B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200710186826.1

申请日：2007-11-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山冈雅* ,  长田健一 ,  小松成亘

IPC: G11C11/417 ,  H03K19/0948 ,  H01L27/02

CPC classification number: G11C11/417

Abstract: 一种半导体集成电路及其制造方法，其可以实现较高的制造成品率，并且补偿CMOS型SRAM的MOS晶体管的阈值电压的标准离差。在SRAM的信息保存工作和写入工作和读出工作的任一有源模式下，对SRAM存储单元的MOS晶体管的衬底(阱)施加衬底偏压(Vbp、Vbn)。首先，测定SRAM的PMOS和NMOS的晶体管的阈值电压。根据测定结果，编程控制存储器(Cnt_MM1、2)的控制信息(Cnt_Sg1、2)。利用程序调整衬底偏压(Vbp、Vbn)的电平，CMOS型SRAM的MOS晶体管的阈值电压的标准离差被控制在规定的误差范围内。相对于施加给MOS晶体管的源极的工作电压，对MOS晶体管的衬底施加反偏置、或者极弱正偏置的衬底偏压。