公开(公告)号：CN106057729A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610236019.5

申请日：2016-04-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古桥隆寿

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/53228 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目标是提供一种具有掩埋铜布线的半导体器件，该掩埋铜布线具有提高的可靠性。包括多孔低k膜的层间绝缘膜，在其布线沟槽中具有布线。该布线具有形成在布线沟槽的底面和侧壁上的第一势垒导体膜，形成在第一势垒导体膜上的第二势垒导体膜，和形成在第二势垒导体膜上的且主要由铜组成的主导体膜。第一势垒导体膜和第二势垒导体膜由相同的导体材料制成，但第一势垒导体膜的密度低于第二势垒导体膜的密度。

公开(公告)号：CN105321931A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510300351.9

申请日：2015-06-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古桥隆寿 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件，一种提供提高的可靠性的具有电容器的半导体器件。布线和电容器形成在上覆半导体衬底的层间绝缘膜上，且另一层间绝缘膜形成在该层间绝缘膜上以便覆盖布线和电容器。电容器包括上覆层间绝缘膜的下电极、上覆层间绝缘膜以至少部分地覆盖下电极的上电极，以及插入下电极和上电极之间的电容绝缘膜。上电极和布线由同一层中的导电膜图案形成。一个插塞位于下电极下并电耦接至下电极，且另一插塞位于上电极的在平面图中与下电极不重叠的部分上并电耦接至上电极。另一插塞位于布线上并电耦接至该布线。