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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN117116886A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310577277.X

申请日：2023-05-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈部翔太 , 伊藤望 , 高桥裕治

IPC: H01L23/48

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括第一金属膜，第一金属膜形成具有键合垫的最上层布线。在第一金属膜的晶粒边界处的杂质的浓度高于在第一金属膜中的晶粒中的杂质的浓度。第一金属膜中包括的晶粒的最大颗粒尺寸小于5μm。

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