公开(公告)号：CN108713241B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201780015580.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 铃木英明 ,  土山彩香 ,  佐藤明德 ,  仲秋夏树

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片(101)，其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成，粘合剂层(12)的厚度为20μm～50μm，粘合剂层(12)的断裂伸长率为5％～50％。一种半导体芯片(9)的制造方法，该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体，使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10)，由此分割所述半导体晶片。

公开(公告)号：CN112694840A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011446311.2

申请日：2017-03-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 铃木英明 ,  仲秋夏树 ,  土山彩香 ,  佐藤明德

IPC: C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：将该粘合剂层的厚度设为200μm时，该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下，并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。

公开(公告)号：CN109005665B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201780020092.1

申请日：2017-03-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 铃木英明 ,  仲秋夏树 ,  土山彩香 ,  佐藤明德

IPC: C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683 ,  B32B27/00

Abstract: 一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：将该粘合剂层的厚度设为200μm时，该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下，并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。

公开(公告)号：CN109041580A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201780018918.0

申请日：2017-02-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 仲秋夏树 ,  佐藤明德 ,  土山彩香 ,  铃木英明

IPC: H01L21/683 ,  B23K26/53 ,  C09J201/00 ,  C09J7/20

CPC classification number: B23K26/53 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的膜状粘接剂(13)是固化性的膜状粘接剂，厚度为60μm的固化前的单层的膜状粘接剂(13)、或者将固化前的2层以上的膜状粘接剂(13)按照总厚度为60μm的方式层叠而成的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60％以下，固化前的膜状粘接剂(13)对于半导体晶片的粘接力为300mN/25mm以上。本发明的半导体加工用片(1)在具有基材(11)的支撑片(10)上设置有膜状粘接剂(13)。

公开(公告)号：CN109005665A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201780020092.1

申请日：2017-03-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 铃木英明 ,  仲秋夏树 ,  土山彩香 ,  佐藤明德

IPC: C09J7/20 ,  H01L21/683 ,  B32B27/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：将该粘合剂层的厚度设为200μm时，该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下，并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。

公开(公告)号：CN108713241A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780015580.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 铃木英明 ,  土山彩香 ,  佐藤明德 ,  仲秋夏树

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20

CPC classification number: H01L21/683 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片(101)，其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成，粘合剂层(12)的厚度为20μm～50μm，粘合剂层(12)的断裂伸长率为5％～50％。一种半导体芯片(9)的制造方法，该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体，使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10)，由此分割所述半导体晶片。