接合半导体基板的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104752342B

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201410433157.3

    申请日:2014-08-28

    Abstract: 本发明提供一种接合半导体基板的方法,其可包括:在第一半导体基板上形成对准键;在第一半导体基板和对准键上形成绝缘层;在绝缘层上形成第一金属层图案和第二金属层图案;在第二半导体基板上形成第一突起和第二突起,以及位于第一突起与第二突起之间的对准凹部;分别在第一突起和第二突起上形成第三金属层图案和第四金属层图案;以及接合第一半导体基板和第二半导体基板,其中当接合第一半导体基板和第二半导体基板时,对准键位于对准凹部。

    接合半导体衬底的方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104752172B

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201410397404.9

    申请日:2014-08-13

    CPC classification number: H01L21/50 H01L21/185 H01L21/30604 H01L21/308

    Abstract: 一种接合半导体衬底的方法,包括:在第一半导体衬底上形成对准键;在第二半导体衬底上形成第一突起和第二突起,以及位于第一突起与第二突起之间的对准槽;分别在第一突起和第二突起上形成第一金属层和第二金属层;以及接合第一半导体衬底和第二半导体衬底,其中当第一半导体衬底与第二半导体衬底接合时,对准键定位于对准槽。

    加速度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN106872729A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201610532843.5

    申请日:2016-07-07

    Inventor: 李熙元

    Abstract: 本发明提供一种加速度传感器,其包括:移动电极,其在第一方向和垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向上延伸,并包括多个彼此连接的平面图案;以及与移动电极形成电容的对置电极,其中,多个平面图案包括:第一框架图案;将移动电极固定到周围结构的第一锚固件图案;第一弹簧图案,其连接第一框架图案和第一锚固件图案,并具有第一方向的拉伸方向;第二弹簧图案,其连接第一框架图案和第一锚固件图案,并具有第二方向的拉伸方向;翼形件图案;以及第三弹簧图案,其连接第一框架图案和翼形件图案,并具有与第一方向和第二方向垂直的第三方向的拉伸方向。

    加速度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN106872729B

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201610532843.5

    申请日:2016-07-07

    Inventor: 李熙元

    Abstract: 本发明提供一种加速度传感器,其包括:移动电极,其在第一方向和垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向上延伸,并包括多个彼此连接的平面图案;以及与移动电极形成电容的对置电极,其中,多个平面图案包括:第一框架图案;将移动电极固定到周围结构的第一锚固件图案;第一弹簧图案,其连接第一框架图案和第一锚固件图案,并具有第一方向的拉伸方向;第二弹簧图案,其连接第一框架图案和第一锚固件图案,并具有第二方向的拉伸方向;翼形件图案;以及第三弹簧图案,其连接第一框架图案和翼形件图案,并具有与第一方向和第二方向垂直的第三方向的拉伸方向。

    接合半导体衬底的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104752172A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201410397404.9

    申请日:2014-08-13

    CPC classification number: H01L21/50 H01L21/185 H01L21/30604 H01L21/308

    Abstract: 一种接合半导体衬底的方法,包括:在第一半导体衬底上形成对准键;在第二半导体衬底上形成第一突起和第二突起,以及位于第一突起与第二突起之间的对准槽;分别在第一突起和第二突起上形成第一金属层和第二金属层;以及接合第一半导体衬底和第二半导体衬底,其中当第一半导体衬底与第二半导体衬底接合时,对准键定位于对准槽。

Patent Agency Ranking