-
公开(公告)号：CN115480460A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211269637.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种提升掩模曝光效率的掩模晶圆协同优化方法，其步骤包括：S1计算光学邻近效应矫正，获取目标掩模图案；S2初始裂解目标掩模图案，初始化掩模矩形曝光基函数组；S3可变电子束光刻正向曝光、显影模拟；S4修正可变电子束曝光方式；S5设置收敛条件，输出优化后的可变电子束曝光方式。本发明技术特点是通过计算光学邻近效应矫正，获取目标掩模图案，并初始裂解目标掩模图案，初始化掩模矩形曝光基函数组，这组基函数的线性组合和阈值函数来表示可变电子束曝光镜头，模拟电子束正向曝光、显影后，在确保光刻后的掩模图案精度的前提下，优化可变电子束曝光方式，降低可变电子束曝光次数，从而提高光刻效率，具有高计算效率、高计算精度的特点。
-
公开(公告)号：CN112987514A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110400952.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 湖南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明是一种电子束曝光的邻近效应快速矫正方法。电子束曝光的邻近效应快速矫正方法包括：S11设置电子束曝光版图矩阵；S12使用二维快速傅里叶变化方法计算电子束正向曝光模拟的能量沉积；S13计算电子束曝光后的阈值显影图案强度；S14计算电子束曝光版图误差函数；S15设置收敛精度，判断是否收敛；S16计算电子束曝光剂量因子矩阵向量梯度迭代直至收敛；S17将电子束曝光版图剂量矫正结果转化为可用于曝光的数据类型。本发明实现了任意形状电子束曝光版图的邻近效应矫正计算，具有低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点。
-
公开(公告)号：CN114969622B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210629240.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种基于遗传算法的电子束光刻能量沉积分布拟合方法，其实现过程包括：步骤S1，通过蒙特卡洛模拟，计算电子束曝光点周围的能量沉积的离散值；步骤S2，计算初始种群，确认最优解搜索范围以及搜索值个数；步骤S3，计算种群适应度；步骤S4，遗传选择、交叉、变异操作；步骤S5，当迭代次数达到规定的最大迭代次数，或适应度函数值最小的个体与适应度期望值的差满足最小偏差，计算终止，否则继续执行迭代步骤S3、S4，得到最终的电子束光刻能量分布函数拟合结果。本发明针对电子束光刻能量沉积分布离散值，实现了数值相差10亿的电子束光刻点扩散函数拟合，在确保计算效率的前提下，具有高计算精度精准的特点。
-
公开(公告)号：CN114675508A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210381947.6
申请日：2022-04-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种基于边缘迭代的电子束光刻剂量形状校正方法，通过判断并存储版图边缘各个点的位置的曝光情况进行迭代的修正，直到符合收敛标准就停止。本发明共分为六个步骤：步骤S1：电子束曝光版图网格划分；步骤S2：判断并存储曝光版图中每个图素边缘各点的位置；步骤S3：模拟电子束曝光版图曝光、显影过程，计算每个图素边缘对应像素的偏移量；步骤S4：根据每个图素边缘对应像素的偏移量，修正每个图素的边缘曝光位置；步骤S5：计算误差并判断迭代是否收敛；步骤S6：获取形状修正后的版图。由于只需要计算版图的边界所以其修正时间较短，且精确校正计算边缘所有点的能量，所以本发明具有高计算效率，高计算精度的特点。
-
公开(公告)号：CN115437209A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211207440.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种大规模并行的电子束光刻邻近效应校正版图能量沉积计算方法。目的是保证精度的前提下，解决单台计算机的内存和算力瓶颈，扩大被计算版图的尺寸限制，并且提高版图能量沉积的计算速度，最终提高电子束光刻邻近效应校正效率。本发明共分为六个步骤：步骤S1曝光版图读入与子版图划分；步骤S2子版图边缘区域确定；步骤S3相邻子版图通信；步骤S4大规模并行计算能量沉积；步骤S5显影与测量均值误差；步骤S6更新版图曝光剂量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114969622A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210629240.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种基于遗传算法的电子束光刻能量沉积分布拟合方法，其实现过程包括：步骤S1，通过蒙特卡洛模拟，计算电子束曝光点周围的能量沉积的离散值；步骤S2，计算初始种群，确认最优解搜索范围以及搜索值个数；步骤S3，计算种群适应度；步骤S4，遗传选择、交叉、变异操作；步骤S5，当迭代次数达到规定的最大迭代次数，或适应度函数值最小的个体与适应度期望值的差满足最小偏差，计算终止，否则继续执行迭代步骤S3、S4，得到最终的电子束光刻能量分布函数拟合结果。本发明针对电子束光刻能量沉积分布离散值，实现了数值相差10亿的电子束光刻点扩散函数拟合，在确保计算效率的前提下，具有高计算精度精准的特点。
-
公开(公告)号：CN114675508B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210381947.6
申请日：2022-04-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种基于边缘迭代的电子束光刻剂量形状校正方法，通过判断并存储版图边缘各个点的位置的曝光情况进行迭代的修正，直到符合收敛标准就停止。本发明共分为六个步骤：步骤S1：电子束曝光版图网格划分；步骤S2：判断并存储曝光版图中每个图素边缘各点的位置；步骤S3：模拟电子束曝光版图曝光、显影过程，计算每个图素边缘对应像素的偏移量；步骤S4：根据每个图素边缘对应像素的偏移量，修正每个图素的边缘曝光位置；步骤S5：计算误差并判断迭代是否收敛；步骤S6：获取形状修正后的版图。由于只需要计算版图的边界所以其修正时间较短，且精确校正计算边缘所有点的能量，所以本发明具有高计算效率，高计算精度的特点。
-
公开(公告)号：CN116482937A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210044985.2
申请日：2022-01-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种基于快速多极子方法的电子束光刻邻近效应校正版图能量沉积的计算方法，目的是在保证精度的前提下，通过对电子束光刻版图用四叉树进行划分，在保证精度的前提下，将曝光点能量沉积的计算分为远场的近似计算和近场的精确计算，大大减少电子束光刻邻近效应校正中版图能量沉积的计算时间，从而提高电子束光刻邻近效应校正的效率。本发明共分为八个步骤：步骤S1版图网格划分和归一化；步骤S2构造四叉树；步骤S3为每个四叉树节点构造交互列表和邻近列表；步骤S4，节点内源点向节点插值点聚集；步骤S5，同层节点之间插值点转移；步骤S6，父节点插值点向子节点插值点发散；步骤S7，邻近列表计算；步骤S8更新版图曝光剂量。
-
公开(公告)号：CN116109715A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111316982.1
申请日：2021-11-09
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明是一种电子束光刻邻近效应矫正版图压缩方法，电子束光刻邻近效应矫正版图压缩方法包括：S1归一化版图边界；S2判定每个四叉树网格区域的划分层级；S3版图图案边界对四叉树网格进行剪切；S4邻近效应矫正剂量映射入非均匀四叉树网格；S5将四叉树网格与曝光剂量存入文件。本发明采用了非均匀四叉树网格压缩方法，最大特点是在版图边缘部分网格划分相对密集，在版图的内部网格划分相对稀疏，这种压缩方法完全符合电子束邻近效应矫正的剂量特性，将电子束邻近效应矫正后的剂量映射至该网格，能够极大降低网格数量，从而提高曝光效率。
-
公开(公告)号：CN112987514B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110400952.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 湖南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明是一种电子束曝光的邻近效应快速矫正方法。电子束曝光的邻近效应快速矫正方法包括：S11设置电子束曝光版图矩阵；S12使用二维快速傅里叶变换方法计算电子束正向曝光模拟的能量沉积；S13计算电子束曝光后的阈值显影图案强度；S14设置收敛精度，计算电子束曝光版图误差函数，判断是否收敛；S15计算电子束曝光剂量因子矩阵向量梯度迭代直至收敛；S16将电子束曝光版图剂量矫正结果转化为可用于曝光的数据类型。本发明实现了任意形状电子束曝光版图的邻近效应矫正计算，具有低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.013 seconds)
