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发明公开
一种半导体结构以及形成方法审中-公开

公开(公告)号：CN119786490A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411972824.5

申请日：2024-12-30

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 何思 , 高标 , 万逸娴 , 程甜甜

IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/768

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构和形成方法，其中，半导体结构，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，导电插塞，贯穿衬底，并通过多个第一接触插塞，连接至互连结构；其中，多个第一接触插塞中的一部分呈同心环状排布。这样，能够避免导电插塞的形成过程对互连结构和金属层间电介质造成破坏。另外，呈同心环状排布的第一接触插塞，能够避免第一接触插塞和导电插塞发生变形。

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