-
公开(公告)号：CN115044866B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210530248.3
申请日：2022-05-16
Abstract: 本发明公开了一种多层梯度结构涂层及其制备方法。所述多层梯度结构涂层包括：基底；依次沉积在所述基底表面的Cr打底层、CrN过渡层、CrWN过渡层、WCrZrCN和CrWZrCN的交替复合层。本发明在多层梯度结构涂层中引入了W、Zr、Cr、N和C元素，进一步提高了涂层的硬度、耐磨性、塑韧性和耐高温性能，且使涂层的微观组织更加致密，并使得基体和涂层间保持合理的多层硬度梯度，在合理控制内应力的同时还提升了基体和涂层的结合强度。
-
公开(公告)号：CN114164395B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111443771.4
申请日：2021-11-30
Abstract: 本公开提供的离子氮碳硫多元共渗设备、处理系统及方法，设备包括：炉体；位于炉体内的工件盘；位于炉体内的工件盘上方的阳极板；位于炉体内的工件盘下方的辅助阴极；位于炉体内的工件盘、阳极板和辅助阴极外围的空心阴极筒；第一电源，用于为空心阴极筒和辅助阴极提供脉冲电压的第一电源；和用于为工件盘提供脉冲偏置电压的第二电源。系统包括：离子氮碳硫多元共渗设备、变压器、真空泵、供气瓶和电气控制柜。方法包括向炉体内通入含有氮、氢、碳和硫元素的气体，并控制第一电源和第二电源的关断。本公开可提高离子扩渗炉内的离子体密度，有效增加扩渗层厚度和表面硬度，以此提高扩渗质量，同时方便阳极清洗。
-
公开(公告)号：CN115074677A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210531419.4
申请日：2022-05-16
Abstract: 本发明公开了一种CrWZrN多层梯度结构涂层及其制备方法。所述CrWZrN多层梯度结构涂层包括：基底；以及依次沉积在所述基底表面的Cr打底层、CrN过渡层、CrWN过渡层和CrWZrN涂层。本发明在CrWZrN多层梯度结构涂层中引入了W、Zr、Cr和N元素，进一步提高了材料的表面硬度、耐磨性和耐腐蚀性，并使得基体和涂层间保持合理的多层硬度梯度，在合理控制内应力的同时还提升了基体和涂层的结合强度。
-
公开(公告)号：CN118308685A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410413677.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及表面处理技术领域，特别涉及一种射频磁场辅助离子渗氮装置及方法，其中，该装置设置在目标离子渗氮炉中，具体包括：绝缘屏蔽部件，绝缘屏蔽部件用于放置目标工件，并使目标工件处于悬浮状态；射频电源，射频电源用于发射预设功率的电信号；匹配器，匹配器与射频电源连接，用于匹配射频电源与电磁线圈之间的阻抗；电磁线圈，电磁线圈穿过绝缘屏蔽部件与匹配器连接，用于根据电信号激发电磁感应等离子体，以对目标工件进行离子渗氮。由此，解决了传统阴极辉光放电离子渗氮技术中等离子体密度低、渗氮效率低等问题。
-
公开(公告)号：CN114481008B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210066178.0
申请日：2022-01-20
Abstract: 本公开提供的离子氮碳硫多元共渗辅助设备、处理系统及方法，辅助设备包括：放置在离子扩渗炉的炉体顶部的空心阴极离子源，放置于炉体侧壁上的绝缘壳体，和多个同轴且由内至外依次间隔排布于绝缘壳体内的电磁铁，相邻两个电磁铁的绕线方式相反，多个电磁铁用于在离子扩渗炉内形成可控的磁场，以改变金属工件表面电子的运动轨迹和金属工件的磁畴。处理系统包括：离子扩渗炉、离子氮碳硫多元共渗辅助设备、变压器、真空泵、供气瓶和电气控制柜。处理方法包括向炉体内通入含有氮元素、碳元素、氢元素和硫元素的气体，并向金属工件提供可控的磁场。本公开可减少工件表面硫化物的间隙，使硬度呈现缓慢下降的趋势，提高工件表面硬度和使用寿命。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115044866A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210530248.3
申请日：2022-05-16
Abstract: 本发明公开了一种多层梯度结构涂层及其制备方法。所述多层梯度结构涂层包括：基底；依次沉积在所述基底表面的Cr打底层、CrN过渡层、CrWN过渡层、WCrZrCN和CrWZrCN的交替复合层。本发明在多层梯度结构涂层中引入了W、Zr、Cr、N和C元素，进一步提高了涂层的硬度、耐磨性、塑韧性和耐高温性能，且使涂层的微观组织更加致密，并使得基体和涂层间保持合理的多层硬度梯度，在合理控制内应力的同时还提升了基体和涂层的结合强度。
-
公开(公告)号：CN112795863A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011619364.X
申请日：2020-12-30
Abstract: 本发明属于钛及钛合金表面处理技术领域，具体涉及一种钛合金表面离子碳氮共渗处理装置。装置中采用了双电源体系、一套直流电源控制辅助阴极，通过向辅助阴极施加电压，可以加速辅助阴极附近氩气的电离，激发离子碰撞加速升温，同时能够对工件及炉内腔体起到清洁的作用；另一套高频脉冲偏压电源负极与工件相连，正极接地，使得工件处于负电位，负偏压对工件表面等离子体的扩渗过程起到了加速的作用，可以提高离子对工件表面的轰击作用，增强扩渗层的附着力和致密度。氨气、二氧化碳作为扩渗介质，在电子的碰撞下形成具有较高内能的电子激发态离子，制得厚度适中、组织均匀的扩渗层，显著提升钛的力学性能及摩擦学性能。
-
公开(公告)号：CN116288132B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310272655.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种空心阴极辅助氮氧共渗的种植牙螺栓表面强化工艺，包括如下步骤：将NH3和O2作为反应气体，利用空心阴极辅助装置，在种植牙螺栓表面获得氮氧共渗改性层，该层具有良好的致密性和覆盖性。本申请的空心阴极辅助氮氧共渗的种植牙螺栓表面强化工艺克服了钛及钛合金种植牙在人体口腔环境中的易被磨损、被腐蚀的缺陷。本申请的工艺中采用酸洗前处理技术，解决了种植牙螺栓表面杂质和氧化层不宜去除的问题；本申请的工艺中采用了氮氧共渗处理的表面改性技术，可有效提高钛合金植入体的植入功效，提高种植牙螺栓的耐腐蚀、硬度以及生物相容性，具有很广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116288132A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310272655.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种空心阴极辅助氮氧共渗的种植牙螺栓表面强化工艺，包括如下步骤：将NH3和O2作为反应气体，利用空心阴极辅助装置，在种植牙螺栓表面获得氮氧共渗改性层，该层具有良好的致密性和覆盖性。本申请的空心阴极辅助氮氧共渗的种植牙螺栓表面强化工艺克服了钛及钛合金种植牙在人体口腔环境中的易被磨损、被腐蚀的缺陷。本申请的工艺中采用酸洗前处理技术，解决了种植牙螺栓表面杂质和氧化层不宜去除的问题；本申请的工艺中采用了氮氧共渗处理的表面改性技术，可有效提高钛合金植入体的植入功效，提高种植牙螺栓的耐腐蚀、硬度以及生物相容性，具有很广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112795863B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011619364.X
申请日：2020-12-30
Abstract: 本发明属于钛及钛合金表面处理技术领域，具体涉及一种钛合金表面离子碳氮共渗处理装置。装置中采用了双电源体系、一套直流电源控制辅助阴极，通过向辅助阴极施加电压，可以加速辅助阴极附近氩气的电离，激发离子碰撞加速升温，同时能够对工件及炉内腔体起到清洁的作用；另一套高频脉冲偏压电源负极与工件相连，正极接地，使得工件处于负电位，负偏压对工件表面等离子体的扩渗过程起到了加速的作用，可以提高离子对工件表面的轰击作用，增强扩渗层的附着力和致密度。氨气、二氧化碳作为扩渗介质，在电子的碰撞下形成具有较高内能的电子激发态离子，制得厚度适中、组织均匀的扩渗层，显著提升钛的力学性能及摩擦学性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.021 seconds)
