-
公开(公告)号：CN108842179B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810769398.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭的制备方法，包括如下步骤：对两种晶向不同的单晶籽晶进行切割，再将切割得到的单晶籽晶相邻间隔、紧密拼接形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，在籽晶拼接处形成了Σ3孪晶界，最后通过定向凝固得到了双晶向的多晶硅铸锭。本发明方法通过在籽晶拼接处人工设置了Σ3孪晶界避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
-
公开(公告)号：CN109097827A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810769506.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种双晶向多晶硅铸锭及其制备方法。包括如下步骤：分别将 晶向单晶棒的标准{100}晶面顺时针及逆时针旋转相同的角度，沿着旋转后的晶面切割，得到对称晶向的单晶籽晶，将对称晶向的单晶籽晶相邻间隔排列形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，通过定向凝固得到了 和 双晶向的多晶硅铸锭。该方法避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于5×104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
-
公开(公告)号：CN108842179A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810769398.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭的制备方法，包括如下步骤：对两种晶向不同的单晶籽晶进行切割，再将切割得到的单晶籽晶相邻间隔、紧密拼接形成籽晶层，铺设在坩埚底部；再将硅料置于籽晶层上，加热控制坩埚温度，使得硅料完全融化而籽晶层部分融化，诱导部分熔化的籽晶层生长，在籽晶拼接处形成了Σ3孪晶界，最后通过定向凝固得到了双晶向的多晶硅铸锭。本发明方法通过在籽晶拼接处人工设置了Σ3孪晶界避免了由于籽晶摆放形成的晶向差而导致的位错，规则的双晶向多晶硅铸锭上部的位错密度低于104/cm2，有效的提高了多晶硅铸锭的质量。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.014 seconds)
