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公开(公告)号：CN110590403B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910899130.6
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品，步骤包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70‑90℃，甩膜时的湿度为11‑15%，退火气氛为氮气。本发明对实验设备没有太高的要求，可精确控制原料化学计量比，工艺简单操作方便，所得薄膜即具有较高的电导又具有较好的铁电性，对于其在铁电调控逻辑器件以及阻性存储器应用方面有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110690321A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910899143.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/58 , C23C14/28 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种全氧化物铁电光电二极管及其制备方法，其包括基底，所述基底上覆有LSMO层，所述LSMO层上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有ITO层。其中，所述LSMO层为外延生长的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3-δ薄膜。本发明利用铁电极化与电极之间肖特基结区势垒的耦合作用，促进器件中光生电子空穴对的分离和高效收集，增强了光电流响应和铁电极化对二极管电流的调制性，兼具了铁电性和半导性的优点，具有大的光电流响应，且具有很好的极化可调性。
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公开(公告)号：CN110590403A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910899130.6
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品，步骤包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70-90℃，甩膜时的湿度为11-15%，退火气氛为氮气。本发明对实验设备没有太高的要求，可精确控制原料化学计量比，工艺简单操作方便，所得薄膜即具有较高的电导又具有较好的铁电性，对于其在铁电调控逻辑器件以及阻性存储器应用方面有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110565091A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910899134.4
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3-δ半导性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为60-80℃，甩膜时的湿度为11-15%，第一层薄膜的厚度为11-18 nm，第2-3层薄膜的膜厚为20-28 nm，其他层薄膜的厚度为14-24nm，退火气氛为氮气。本发明方法实施方便，对实验设备要求不高，原料化学计量比可精确控制，工艺操作简单方便，所得薄膜即具有较好的铁电性又具有较高的电导性，在铁电调控的阻性存储器件中有很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104072129A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410156268.4
申请日：2014-04-18
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na0.5Bi0.5(Ti1-xZrx)O3表示，其中，x为锆离子的摩尔掺量，且0.01≤x≤0.04。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在镀有底电极的玻璃衬底上旋涂镀膜，氮气气氛中500~550℃的低温下热处理，制得具有良好电绝缘性、铁电性以及介电性的无铅薄膜。该薄膜能够用于制备非易失性铁电存储器，开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料和器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110565091B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910899134.4
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3‑δ半导性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为60‑80℃，甩膜时的湿度为11‑15%，第一层薄膜的厚度为11‑18 nm，第2‑3层薄膜的膜厚为20‑28 nm，其他层薄膜的厚度为14‑24nm，退火气氛为氮气。本发明方法实施方便，对实验设备要求不高，原料化学计量比可精确控制，工艺操作简单方便，所得薄膜即具有较好的铁电性又具有较高的电导性，在铁电调控的阻性存储器件中有很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102775141B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210290899.6
申请日：2012-08-16
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明的技术方案为：利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能够实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。
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公开(公告)号：CN103346255A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310258989.1
申请日：2013-06-26
Applicant: 济南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
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公开(公告)号：CN110634974B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910899163.0
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/04 , H01L31/18 , C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFO层，所述BFO层上覆有ITO层；所述BFO层为外延生长的BiFeO3‑δ薄膜。本发明巧妙地利用氧空位掺杂增加铁电层的吸光效率，利用上下电极功函差引起的内建电势协同铁电退极化场，有效地促进了光生电子空穴对的分离，提高了器件的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN110316763A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910751203.7
申请日：2019-08-15
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种均匀致密BiFeO3纺锤体纳米颗粒的制备方法，属于多铁性纳米材料及其制备的技术领域。本发明通过改进后的水热法制备铁酸铋粉体，以金属盐为原料，只采用去离子水作为溶剂，制得铋的次硝酸盐沉淀，再加入碱性水溶液制备铁的羟基氧化物沉淀作为反应物，加入适当的氢氧化钾水溶液制得浆液，于195-220℃下保温5-7h，水热反应得到均匀的BiFeO3纺锤体纳米颗粒，其典型特征尺度长度约为100-200 nm。本发明可制得分布均匀、形状规则且致密性高的优良纺锤体粉体颗粒，此方法简化实验流程的同时，降低成本，安全无害，易于产业化生产，在多铁性材料及铁电压电等电子陶瓷应用领域前景广泛。
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