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公开(公告)号：CN110676328A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910899167.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种功函驱动三明治结构铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有Pt层；所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3-δ薄膜。本发明巧妙地利用Co元素和氧空位掺杂增加BFCO层的吸光效率，利用Pt和NSTO电极的大的功函数差值引起的大的内建电势协同铁电退极化场，促进了光生电子空穴对的分离和高效收集，有效提高了铁电光伏器件的PCE。
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公开(公告)号：CN110563048A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910899704.X
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在(100)SrTiO3或(100)Nb:SrTiO3衬底上，采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70-90℃，甩膜时的湿度为11-20%。本发明方法实施很方便，原料化学计量比可精确控制，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜外延程度高，具有较大的室温电极化强度、较低的室温漏电流密度，结构致密、均匀，在局部小区域来看具有单晶的性能，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
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公开(公告)号：CN110565091B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910899134.4
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3‑δ半导性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为60‑80℃，甩膜时的湿度为11‑15%，第一层薄膜的厚度为11‑18 nm，第2‑3层薄膜的膜厚为20‑28 nm，其他层薄膜的厚度为14‑24nm，退火气氛为氮气。本发明方法实施方便，对实验设备要求不高，原料化学计量比可精确控制，工艺操作简单方便，所得薄膜即具有较好的铁电性又具有较高的电导性，在铁电调控的阻性存储器件中有很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110634974B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910899163.0
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/04 , H01L31/18 , C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFO层，所述BFO层上覆有ITO层；所述BFO层为外延生长的BiFeO3‑δ薄膜。本发明巧妙地利用氧空位掺杂增加铁电层的吸光效率，利用上下电极功函差引起的内建电势协同铁电退极化场，有效地促进了光生电子空穴对的分离，提高了器件的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN110316763A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910751203.7
申请日：2019-08-15
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种均匀致密BiFeO3纺锤体纳米颗粒的制备方法，属于多铁性纳米材料及其制备的技术领域。本发明通过改进后的水热法制备铁酸铋粉体，以金属盐为原料，只采用去离子水作为溶剂，制得铋的次硝酸盐沉淀，再加入碱性水溶液制备铁的羟基氧化物沉淀作为反应物，加入适当的氢氧化钾水溶液制得浆液，于195-220℃下保温5-7h，水热反应得到均匀的BiFeO3纺锤体纳米颗粒，其典型特征尺度长度约为100-200 nm。本发明可制得分布均匀、形状规则且致密性高的优良纺锤体粉体颗粒，此方法简化实验流程的同时，降低成本，安全无害，易于产业化生产，在多铁性材料及铁电压电等电子陶瓷应用领域前景广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110590403B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910899130.6
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品，步骤包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70‑90℃，甩膜时的湿度为11‑15%，退火气氛为氮气。本发明对实验设备没有太高的要求，可精确控制原料化学计量比，工艺简单操作方便，所得薄膜即具有较高的电导又具有较好的铁电性，对于其在铁电调控逻辑器件以及阻性存储器应用方面有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110690321A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910899143.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/58 , C23C14/28 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种全氧化物铁电光电二极管及其制备方法，其包括基底，所述基底上覆有LSMO层，所述LSMO层上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有ITO层。其中，所述LSMO层为外延生长的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3-δ薄膜。本发明利用铁电极化与电极之间肖特基结区势垒的耦合作用，促进器件中光生电子空穴对的分离和高效收集，增强了光电流响应和铁电极化对二极管电流的调制性，兼具了铁电性和半导性的优点，具有大的光电流响应，且具有很好的极化可调性。
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公开(公告)号：CN110590403A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910899130.6
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品，步骤包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70-90℃，甩膜时的湿度为11-15%，退火气氛为氮气。本发明对实验设备没有太高的要求，可精确控制原料化学计量比，工艺简单操作方便，所得薄膜即具有较高的电导又具有较好的铁电性，对于其在铁电调控逻辑器件以及阻性存储器应用方面有着很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110565091A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910899134.4
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种高分子辅助外延生长BiFeO3-δ半导性薄膜的方法，包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为60-80℃，甩膜时的湿度为11-15%，第一层薄膜的厚度为11-18 nm，第2-3层薄膜的膜厚为20-28 nm，其他层薄膜的厚度为14-24nm，退火气氛为氮气。本发明方法实施方便，对实验设备要求不高，原料化学计量比可精确控制，工艺操作简单方便，所得薄膜即具有较好的铁电性又具有较高的电导性，在铁电调控的阻性存储器件中有很好的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110676328B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201910899167.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种功函驱动三明治结构铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有Pt层；所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3‑δ薄膜。本发明巧妙地利用Co元素和氧空位掺杂增加BFCO层的吸光效率，利用Pt和NSTO电极的大的功函数差值引起的大的内建电势协同铁电退极化场，促进了光生电子空穴对的分离和高效收集，有效提高了铁电光伏器件的PCE。
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