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公开(公告)号：CN119766181A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411936134.4
申请日：2024-12-26
Applicant: 河北工业大学创新研究院(石家庄) , 河北工业大学
Abstract: 本发明公开一种衰减器芯片，该芯片由第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、输入焊盘、输出焊盘串联成主路，第三薄膜电阻与第四薄膜电阻并联接地，四个薄膜电阻共同构成纯T型电阻衰减结构。在传统的T型衰减器的结构上，将传统单接地薄膜电阻分成两个并联接地薄膜电阻，具有更好的对称性。纯电阻衰减器结构具备平坦的频率响应，可以在宽频范围内保持一致的衰减效果，同时成本低廉结构简单，应用广泛。另外，接地片与接地面通过接地通孔导通，该种结构增强了信号的对称性，从而提高了信号的稳定性。此外，在连接薄膜电阻的传输线上采用蛇形迂回设计，更好的保证了性能。本发明提供的衰减器芯片使用更为灵活、体积更小、性能更优。
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公开(公告)号：CN113985158B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111111142.1
申请日：2021-09-18
Applicant: 河北工业大学 , 浙江人民电器有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 提供了一种剩余电流保护检验方法、检验装置、电子设备及存储介质。该方法包括获取与每个参考电流对应的参考结果，其中，参考结果是根据第一设备加载参考电流的情况下得到的，参考电流是根据突变剩余电流动作区间确定的；针对每个参考电流，获取与多个第一测试电流对应的验证结果，其中，验证结果是根据第二设备分别加载多个第一测试电流的情况下得到的，每个第一测试电流与对应的参考电流之间具有第一相角差；在确定第一剩余电流保护器在参考电流的情况下发生保护动作，且第二剩余电流保护器在多个第一测试电流均发生保护动作的情况下，将参考电流确定为突变剩余电流动作值；根据多个突变剩余电流动作值确定目标突变剩余电流动作值。
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公开(公告)号：CN106365204B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610952845.X
申请日：2016-11-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01G41/02 , G01N33/497 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明用于氨气气敏传感器的三氧化钨敏感材料的制备方法,涉及纳米结构材料，采用浸渍法，用贵金属Au、Ru或Pd对纳米结构三氧化钨粉末进行表面催化修饰，由此制得用于氨气气敏传感器的表面催化修饰的纳米结构三氧化钨敏感材料，步骤是：载体悬浮液的制备；贵金属元素前驱体溶液的制备；表面催化修饰的WO3前驱体悬浮液的制备；恒温静置老化；高速离心分离；干燥；高温烧结；研磨过筛，制得表面催化修饰的纳米结构三氧化钨敏感材料。本发明克服了现有的用于氨气气敏传感器的纯三氧化钨材料存在灵敏度低，选择性差，易受湿度干扰从而降低其表面活性导致对氨气的响应能力降低的缺陷。
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公开(公告)号：CN102255278A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110183125.9
申请日：2011-07-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明是一种具有通讯功能的智能漏电综合保护器。该保护器包括零序电流互感器、A相负荷电流互感器、B相负荷电流互感器、C相负荷电流互感器、分压器、信号调理电路、单片机、开关装置、通讯模块和电源；其中，零序电流互感器、A相负荷电流互感器、B相负荷电流互感器、C相负荷电流互感器和分压器的输出与信号调理电路连接，信号调理电路的输出与单片机相连；开关装置与单片机连接；通讯模块与单片机连接。本发明的漏电综合保护器能够实现过流、短路、漏电、电压异常(过压或欠压)保护，具有延时动作与自动重合闸功能，多台智能漏电综合保护器能够通过各自的通讯模块以灵活的方式组成漏电保护监控网络，实现低压电网漏电保护远程监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100356651C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200410072622.1
申请日：2004-11-04
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种漏电自动跟踪保护器及其运行方法，它包括空气断路器或继电器、单片机、零序电流互感器、漏电信号放大电路和电源组成部分，其中单片机具有以下的操作程序：(1)初始化；(2)测漏电电流的幅值和相角；(3)计算漏电电流的变化值；(4)判断漏电电流变化值是否大于10%的漏电动作阈值；(5)判断小于10%的漏电动作阈值的持续时间；(6)改变动作阈值。在漏电电流达到或超过漏电动作电流阈值时，单片机发出漏电脱扣命令，触发可控硅使空气断路器或继电器动作，空气断路器或继电器切断故障电路，故障漏电得到保护。本发明也可以添加漏电模拟发生器、和/或漏电电流显示电路、和/或频率检测电路辅助组成部分。
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公开(公告)号：CN111048975A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911381214.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01S3/08 , H01S3/0941 , H01S3/16 , H01S3/30
Abstract: 本发明公开了一种蓝光LD泵浦Pr:LiNbO3的钠黄光拉曼激光器，包括：激光二极管泵浦源发射增益介质吸收带内的泵浦光，经传能光纤输出，经耦合透镜组聚焦后透过谐振腔共用反射镜进入增益介质；将546nm基频光作为泵浦源，通过优化泵浦条件和输出率条件，使得拉曼增益高于基频光激光增益，斯托克斯光模体积大于基频光模体积，获得一阶斯托克斯光输出；将输出耦合镜镀膜替换为二阶斯托克斯光部分反射、一阶斯托克斯光全反射的多色膜，通过优化泵浦条件和输出率条件，使得二阶斯托克斯光模体积大于一阶斯托克斯光模体积，实现二阶斯托克斯光输出。本发明采用LD直接泵浦单一晶体并结合标准具调谐波长实现精准输出，可极大简化钠黄光固体激光系统。
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公开(公告)号：CN106365204A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610952845.X
申请日：2016-11-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01G41/02 , G01N33/497 , B82Y40/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C01G41/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/80 , G01N33/497 , G01N2033/4975
Abstract: 本发明用于氨气气敏传感器的三氧化钨敏感材料的制备方法,涉及纳米结构材料，采用浸渍法，用贵金属Au、Ru或Pd对纳米结构三氧化钨粉末进行表面催化修饰，由此制得用于氨气气敏传感器的表面催化修饰的纳米结构三氧化钨敏感材料，步骤是：载体悬浮液的制备；贵金属元素前驱体溶液的制备；表面催化修饰的WO3前驱体悬浮液的制备；恒温静置老化；高速离心分离；干燥；高温烧结；研磨过筛，制得表面催化修饰的纳米结构三氧化钨敏感材料。本发明克服了现有的用于氨气气敏传感器的纯三氧化钨材料存在灵敏度低，选择性差，易受湿度干扰从而降低其表面活性导致对氨气的响应能力降低的缺陷。
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公开(公告)号：CN102231510B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110183123.X
申请日：2011-07-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: H02H3/32
Abstract: 本发明是一种脉动直流剩余电流保护器及其运行方法。该装置包括开关装置、微处理器、零序电流互感器、剩余电流信号放大电路和电源组成部分；其中，零序电流互感器的输出与剩余电流信号放大电路连接；剩余电流信号放大电路的输出与微处理器连接；开关装置与微处理器连接；电源的输入与电网连接，电源的输出与微处理器和开关装置连接。本发明可以区分出剩余电流波形类型，并根据剩余电流波形类型的不同采取不同的保护措施，提高了保护精度，适用不同频率电网的剩余电流保护，或在电网频率有变化时也能实现剩余电流的准确保护，扩大了本发明的应用场合，结构简单，体积小，功耗极低。
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公开(公告)号：CN100539345C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200410072623.6
申请日：2004-11-04
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种漏电突变动作无死区断路器及其运行方法，包括单片机、零序电流互感器、漏电信号放大电路、电源、漏电脱扣器和空气断路器，其中单片机的操作程序为：(1)初始化，(2)测剩余电流的幅值和相角，(3)判断剩余电流是否大于动作值，大于时发出漏电脱扣指令，(4)计算突变漏电电流值，(5)判断突变漏电电流值是否大于动作值，大于时发出漏电脱扣指令。该指令使漏电脱扣器动作，带动空气断路器切断故障电路，得到漏电突变动作无死区保护。本发明还可添加漏电模拟发生电路和/或漏电电流显示电路辅助组成部分，还可以对漏电电流进行三相分解，并通过数码管分别显示出各相漏电电流，方便了对各相漏电情况的分析与判断，找出最大漏电相线。
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