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公开(公告)号：CN106788979A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611265264.5
申请日：2016-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种密码S盒评估新方法，引入S盒的局部线性关系分解以及局部二次关系分解概念，根据局部线性检测模块的输出和局部二次检测模块的输出对S盒进行评估，如果对于局部线性检测模块的输出C2中存储的数的和与相差较少，说明S盒的代数结构较好；如果局部线性检测模块的输出C2中存储的数的和与相差较大，说明S盒的代数结构较差；对于局部二次检测模块的输出D2，如果D2[i]的值较大，而i的值较小，如i=4或5，说明S盒的代数结构较差；如果D2[i]的值较大，但是i的值也较大，如i=6，说明S盒的代数结构较好。该方法如果应用到密码算法S盒的设计中，将会避免S盒在代数结构上的缺陷，对设计安全性较高的S盒具有很重要的意义。
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公开(公告)号：CN106788979B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201611265264.5
申请日：2016-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种密码S盒评估新方法，引入S盒的局部线性关系分解以及局部二次关系分解概念，根据局部线性检测模块的输出和局部二次检测模块的输出对S盒进行评估，如果对于局部线性检测模块的输出C2中存储的数的和与相差较少，说明S盒的代数结构较好；如果局部线性检测模块的输出C2中存储的数的和与相差较大，说明S盒的代数结构较差；对于局部二次检测模块的输出D2，如果D2[i]的值较大，而i的值较小，如i=4或5，说明S盒的代数结构较差；如果D2[i]的值较大，但是i的值也较大，如i=6，说明S盒的代数结构较好。该方法如果应用到密码算法S盒的设计中，将会避免S盒在代数结构上的缺陷，对设计安全性较高的S盒具有很重要的意义。
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公开(公告)号：CN113354298B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110616541.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用，属于传感器材料制备领域。本发明的制备方法，将PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之间的空隙，之后进行退火，使得PS球气化，形成SnO2大孔薄膜；之后进行水热反应，在保持规则排列的SnO2大孔结构的基础上，引进MoS2纳米片，通过调控，使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本发明的SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜，孔状结构有利于气体排出，纳米片的复合使得薄膜比表面积增大，表面活性位点增高，从而使得气敏性能大大提高，气敏性能更加优异，对二氧化氮气体有良好的气敏响应。
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公开(公告)号：CN113354298A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110616541.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用，属于传感器材料制备领域。本发明的制备方法，将PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之间的空隙，之后进行退火，使得PS球气化，形成SnO2大孔薄膜；之后进行水热反应，在保持规则排列的SnO2大孔结构的基础上，引进MoS2纳米片，通过调控，使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本发明的SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜，孔状结构有利于气体排出，纳米片的复合使得薄膜比表面积增大，表面活性位点增高，从而使得气敏性能大大提高，气敏性能更加优异，对二氧化氮气体有良好的气敏响应。
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